半导体行业观察：《韩国经济日报》报导，传三星电子(Samsung Electronics) 已在磁阻式随机存取记忆体(MRAM) 取得重大进展，市场估计在5 月24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的MRAM 记忆体

半导体行业观察：有四家主要的代工厂计划在今年或明年以嵌入式内存解决方案的形式提供 MRAM，为这项下一代内存技术设置了最终将变革市场格局的舞台。

加快MRAM;电池更好的括号;信息内暂处

磁随机存储器是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性随机存储器之一。

拥护者认为，MRAM技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，有望成为真正的通用型内存。

半导体行业观察：由于大厂商都在争夺差异化优势，bulk CMOS、FD-SOI和FinFET都已投入使用。但在28nm之后，芯片制造商将何去何从？

半导体行业观察：30年前，加州大学伯克利分校的博士生杨林（Frank Lin）想研发出一种特制芯片，能够加快人工智能（AI）的运算速度。

半导体行业观察：在IBM新一代的FlashSystem存储设备中，将利用磁阻RAM（MRAM）来做写缓存，而不再使用传统的DRAM。

上周，在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体巨头展示了嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。

在第64届国际电子器件会议( IEDM )上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。

在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。MRAM (Mag...

在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。

据businessKorea报道，三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。

台湾地区清华大学团队以电子自旋流操控磁阻式随机存取存储器（MRAM）中的磁性，突破瓶颈，成果全球首创，并预计4年后要做出下世代MRAM，盼为国内产业带来关键影响。

存储是电子系统重要组成部分，目前绝大多数电子系统均采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构。

半导体行业观察：在传统存储技术接受挑战的过程中，类似于MRAM等新型存储技术也开始逐渐在市场上展露头角。

Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。

作为一种“新”的NVM技术，MRAM拥有接近SRAM，具备快闪存储器的非挥发性，同时在容量密度及使用寿命不输DRAM，能耗更是远远低于前者，这让他们从诞生以来，一直受到行业的广泛的关注。

这些新型器件一直受到行业的广泛关注，但是直到最近，其商业实现还寥寥无几。现在，得益于更先进的制造系统的不断发展，这种雷声大雨点小的局面马上就要改变了。

半导体行业观察：随着信息和纳米加工技术高速发展，基于传统存储体系构建的电子系统正面临着巨大的挑战。伴随着更多业者进入MRAM市场，也看得出来大家都逐渐看到了MRAM的商机及其可能取代现有主流存储技术的未来前景。

半导体行业观察：MTJ的数据存储依赖于由MgO和CoFeB层之间的界面各向异性产生的垂直磁各向异性（PMA）。电流可以将自由

半导体行业观察：IEDM 2019的主题是：“面向互联智能时代的创新设备”，MRAM是其中的主要贡献者。在全体会议之后，星期一下午举行了第二场会议：存储技术– STT-MRAM。

业界普遍认为未来从数据中将能挖掘出最大的价值,但要挖掘数据的价值除了需要很强的计算能力之外,数据的存储也非常关键。目前,新型存储器也是领先的企业非常关注的一个方向。摩尔定律渐失效,新式存储器接棒上战场1965年问世的摩尔定律至今已超过50年

2018年8月份AMD宣布将7nm CPU订单全都交给台积电，双方的合作关系这两年非常密切。与之相比，AMD的前女友GF公司现在与X86 CPU代工渐行渐远，现在他们宣称要做MRAM领域的领导者。

GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT－MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM

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GF、Everspin合作良好 STT-MRAM自旋磁阻内存升级-GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

半导体行业观察：ISSCC 2020 TSMC STT-MRAM

​Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺-MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为存储器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特点，可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。 Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）产品商业制造商。Everspin产品凭借其非常成功的ToggleMRAM技术，被用于从汽车，航空和存储系统到工业自动化，航空航天等领域的各种应用。我司英尚微电子everspin代理,主要提供用户各种容量大小的MRAM芯片产品,提供完善的产品技术和解决方案。 Eve

超低功耗ST-MRAM内存架构-ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。 目前有研究人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构，称为Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说，SL-ST-MARM同时实现了超高MR比，高速开关和低RA。 SL STT MRAM结构 SL-ST-MRAM基于SL-ST-MTJ，它使用超晶格势垒代替了传统STT-MTJ中的单晶（MgO）势垒。超晶格屏障

选择MRAM的理由-MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未实现其潜力，但截至2020年初，市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在将该技术用于许多应用。 虽然有了这么多的论文和研究成果，但是目前并没有MRAM实际产品制造出来。 另一个有趣的问题就是MRAM保存数据的稳定性，热稳定性毫无疑问会影

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半导体行业观察：被称为反铁磁体（antiferromagnets）的准磁性材料（Quasi-magnetic）因其在计算机内存中保存比传统磁体所允许的数据更多的潜力而吸引了研究兴趣。

翻译自——Semiwiki总结一种新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) IP为高性能嵌入式应用提供了一个有吸引力的选择。介绍如今，社会上广泛

近年来，在人工智能（AI）、5G等推动下，以MRAM（磁阻式随机存取存储器）、铁电随机存取存储器 (FRAM)、相变随机存取存储器（PRAM），以及

半导体行业观察：近年来，在人工智能（AI）、5G等推动下，以MRAM（磁阻式随机存取存储器）、铁电随机存取存储器 (FRAM)、相变随机存取存储器（PRAM），以及可变电阻式随机存取存储器（RRAM）为代表的新兴存储技术逐渐成为市场热点。

半导体行业观察：​位于加利福尼亚州弗里蒙特的MRAM初创公司Spin Memory表示，它已经开发出一种晶体管，可以大大缩小MRAM和电阻性RAM的尺寸。

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，其原理是怎样的-MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM的存储原理。MRAM单元的结构和目前硬盘驱动器中GMR读取头的自旋阀膜系结构相似，自旋阀的工作机理如下。 1、自旋阀 电子作为电流的载体，用的是电子的电荷，也就是说电流是电子电荷的输运。但电子不仅有电荷，而且有自旋，自旋阀就是利用电子自旋（而非

边缘计算在工业物联网、机器人、可穿戴设备、人工智能、汽车和便携式设计等领域的应用正在不断增长。伴随着这种增长的是对高速、低延迟、非

半导体行业观察：MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下来的十年中，两种新兴的非易失性存储器类型（相变存储器和磁RAM）将在独立存储器中处于领先地位。

半导体行业观察：最近，FeFET初创者FMC获得了包括默克，SK Hynix，IMEC，Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万美元的资金。

最近，FeFET初创者FMC获得了包括默克，SK Hynix，IMEC，Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万

半导体行业观察：谈到新一代非易失内存（NVRAM）/存储级内存（SCM），ReRAM（忆阻器）、PCM（相变内存）、MRAM（磁性内存）这些新技术，我就想起5年前写的《从技术到应用：揭开3D XPoint Memory迷雾》。