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摩尔半导体指数
MRAM
挣足钱的三星进攻下一代存储,MRAM成为目标?
半导体行业观察:《韩国经济日报》报导,传三星电子(Samsung Electronics) 已在磁阻式随机存取记忆体(MRAM) 取得重大进展,市场估计在5 月24 日的一场晶圆厂商论坛上,三星电子将会发布该公司所研发的MRAM 记忆体
存储
三星
MRAM
2017-04-29 02:25
2641
[原创] 四大晶圆厂抢单MRAM,新存储时代开启?
半导体行业观察:有四家主要的代工厂计划在今年或明年以嵌入式内存解决方案的形式提供 MRAM,为这项下一代内存技术设置了最终将变革市场格局的舞台。
MRAM
晶圆代工
2017-08-23 08:45
原创
5740
电力/性能位: 11月7日
加快MRAM;电池更好的括号;信息内暂处
MRAM
UC Berkeley
2017-11-16 11:47
2535
存储新势力:MRAM技术解析
磁随机存储器是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性随机存储器之一。
隧穿磁阻效应
MRAM
磁隧道结
2018-10-16 08:29
3067
MRAM全球专利分析,中国仅排第三
拥护者认为,MRAM技术速度接近SRAM,具有快闪存储器的非挥发性,容量密度及使用寿命不输DRAM,平均能耗远低于DRAM,有望成为真正的通用型内存。
MRAM
存储器
2018-10-22 08:54
3160
[原创] 代工厂备战22nm
半导体行业观察:由于大厂商都在争夺差异化优势,bulk CMOS、FD-SOI和FinFET都已投入使用。但在28nm之后,芯片制造商将何去何从?
22nm
MRAM
22nm
2018-11-22 08:36
原创
2238
AI新贵Gyrfalcon打造多款机器学习芯片
半导体行业观察:30年前,加州大学伯克利分校的博士生杨林(Frank Lin)想研发出一种特制芯片,能够加快人工智能(AI)的运算速度。
MRAM
GTI
CES
2018-11-30 08:48
1746
使用MRAM取代DRAM,IBM迈出重要一步
半导体行业观察:在IBM新一代的FlashSystem存储设备中,将利用磁阻RAM(MRAM)来做写缓存,而不再使用传统的DRAM。
MRAM
IBM
NAND
2018-12-03 08:31
1879
英特尔、三星将目光移向了嵌入式MRAM技术
上周,在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体巨头展示了嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。
三星
英特尔
MRAM
2018-12-12 11:29
1942
三星和英特尔都虎视眈眈,MRAM有何吸引力?
在第64届国际电子器件会议( IEDM )上,全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。
MRAM
2018-12-20 08:37
1659
英特尔MRAM技术已悄然间商用化
在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。MRAM (Mag...
MRAM
2018-12-20 13:42
1446
嵌入式MRAM技术有何魔力,竟让英特尔、三星大打出手
在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。
FinFET
MRAM
2018-12-20 15:28
1963
英特尔eMRAM已准备好量产 基于FinFET工艺
MRAM
英特尔
2019-02-22 15:42
2807
三星开始大规模生产下一代内存芯片MRAM
据businessKorea报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。
三星
MRAM
2019-03-11 17:11
1591
三星大规模生产下一代内存芯片MRAM,对半导体产业有何影响?
MRAM
三星
2019-03-14 18:34
1876
突破MRAM技术瓶颈,台湾地区团队成果全球首创
台湾地区清华大学团队以电子自旋流操控磁阻式随机存取存储器(MRAM)中的磁性,突破瓶颈,成果全球首创,并预计4年后要做出下世代MRAM,盼为国内产业带来关键影响。
存储芯片
MRAM
2019-03-14 19:14
2175
嵌入式内存STT-MRAM趋势分析
存储是电子系统重要组成部分,目前绝大多数电子系统均采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构。
嵌入式
MRAM
2019-03-16 11:04
4102
当我们谈MRAM时,不能忽视这点!
半导体行业观察:在传统存储技术接受挑战的过程中,类似于MRAM等新型存储技术也开始逐渐在市场上展露头角。
MRAM
存储器
2019-06-11 08:55
3330
Everspin试产STT-MRAM 基于格罗方德28nm工艺
Everspin 近日宣布,其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。
Everspin
MRAM
2019-06-26 19:52
1676
[原创] MRAM的新机遇
作为一种“新”的NVM技术,MRAM拥有接近SRAM,具备快闪存储器的非挥发性,同时在容量密度及使用寿命不输DRAM,能耗更是远远低于前者,这让他们从诞生以来,一直受到行业的广泛的关注。
MRAM
DRAM
2019-08-05 16:08
原创
1880
新型内存技术MRAM、ReRAM和PCRAM做好了量产准备
这些新型器件一直受到行业的广泛关注,但是直到最近,其商业实现还寥寥无几。现在,得益于更先进的制造系统的不断发展,这种雷声大雨点小的局面马上就要改变了。
MRAM
PCRAM
2019-08-07 09:12
2431
中科院微电子所副总工程师: 嵌入式MRAM大规模量产成定局
<strong> AI未来发展需打破冯诺依曼瓶颈 </stro
MRAM
嵌入式
2019-08-09 18:26
1967
有关STT-MRAM的一些科普
半导体行业观察:随着信息和纳米加工技术高速发展,基于传统存储体系构建的电子系统正面临着巨大的挑战。伴随着更多业者进入MRAM市场,也看得出来大家都逐渐看到了MRAM的商机及其可能取代现有主流存储技术的未来前景。
ST
MRAM
2019-11-24 10:03
2946
观察:MRAM技术将走向何方
半导体行业观察:MTJ的数据存储依赖于由MgO和CoFeB层之间的界面各向异性产生的垂直磁各向异性(PMA)。电流可以将自由
MRAM
数据存储
2019-12-02 09:15
2200
群雄竞逐STT-MRAM
半导体行业观察:IEDM 2019的主题是:“面向互联智能时代的创新设备”,MRAM是其中的主要贡献者。在全体会议之后,星期一下午举行了第二场会议:存储技术– STT-MRAM。
MRAM
ST
2020-01-05 10:32
2055
存储器硝烟弥漫,新式存储器大举杀入
业界普遍认为未来从数据中将能挖掘出最大的价值,但要挖掘数据的价值除了需要很强的计算能力之外,数据的存储也非常关键。目前,新型存储器也是领先的企业非常关注的一个方向。摩尔定律渐失效,新式存储器接棒上战场1965年问世的摩尔定律至今已超过50年
摩尔定律
MRAM
2020-02-11 10:02
1522
格芯表示要做MRAM领域的领导者 以推动潜在的新计
2018年8月份AMD宣布将7nm CPU订单全都交给台积电,双方的合作关系这两年非常密切。与之相比,AMD的前女友GF公司现在与X86 CPU代工渐行渐远,现在他们宣称要做MRAM领域的领导者。
MRAM
AMD
2020-03-07 19:02
1087
SSD主控催化剂:STT-MRAM自旋磁阻内存升级GF 12nm工艺
GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM
MRAM
GF
2020-03-16 10:04
1152
格芯加深与Everspin合作,将联发开发的STT-MRAM扩展至12 nm FinFET
与非网(eefocus)定位为电子技术门户网站和信息服务平台,专注于电子及半导体产业的市场动态和前沿技术,为相关厂商提供信息发布、技术社区等定制化服务,为电子工程师提供产业资讯、新品信息、技术资料和深度市场分析等精品内容。
MRAM
Everspin
2020-03-16 14:26
1108
GF、Everspin合作良好 STT-MRAM自旋磁阻内存升级
GF、Everspin合作良好 STT-MRAM自旋磁阻内存升级-GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
MRAM
GF
2020-03-16 19:15
1601
台积电STT-MRAM技术细节
半导体行业观察:ISSCC 2020 TSMC STT-MRAM
MRAM
ST
2020-03-22 11:48
2720
Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺
Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺-MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为存储器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特点,可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。 Everspin是全球唯一的磁性RAM(MRAM)产品商业制造商。Everspin产品凭借其非常成功的ToggleMRAM技术,被用于从汽车,航空和存储系统到工业自动化,航空航天等领域的各种应用。我司英尚微电子everspin代理,主要提供用户各种容量大小的MRAM芯片产品,提供完善的产品技术和解决方案。 Eve
MRAM
Everspin
2020-03-25 18:28
1230
为MRAM工艺打造的量测方案
为MRAM工艺打造的量测方案-在不久的将来,我们将看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品,锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。 半导体工艺控制和支持技术供货商KLA对MRAM作为一种新兴的NVM技术的前景感到振奋,为IC制造商提供了一系列解决方案的组合,可帮助加速MRAM产品开发,确保成功实现量产并在生产中取得最佳良率
MRAM
eMRAM
2020-03-25 18:32
1901
超低功耗ST-MRAM内存架构
超低功耗ST-MRAM内存架构-ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术,因为它是一种高性能存储器(可以挑战DRAM和SRAM),可扩展至10nm以下,并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中,电子的自旋使用自旋极化电流翻转。 目前有研究人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构,称为Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说,SL-ST-MARM同时实现了超高MR比,高速开关和低RA。 SL STT MRAM结构 SL-ST-MRAM基于SL-ST-MTJ,它使用超晶格势垒代替了传统STT-MTJ中的单晶(MgO)势垒。超晶格屏障
ST
MRAM
2020-04-03 18:28
1778
选择MRAM的理由
选择MRAM的理由-MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。MRAM技术仍远未实现其潜力,但截至2020年初,市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片,并且公司正在将该技术用于许多应用。 虽然有了这么多的论文和研究成果,但是目前并没有MRAM实际产品制造出来。 另一个有趣的问题就是MRAM保存数据的稳定性,热稳定性毫无疑问会影
MRAM
芯片
2020-04-08 18:37
1136
用于工业应用的Everspin MRAM
用于工业应用的Everspin MRAM-Everspin在磁存储器设计,制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。 Toggle MRAM为许多行业提供服务,包括交通运输,航空航天和医疗,物联网及工业。Everspin与全球能源管理和自动化专家Schneider Electric合作,以提高Schneider成熟的Modicon控制器产品Modicon M580以太网可编程自动化控制器(ePAC)的容量。
Everspin
MRAM
2020-04-09 18:52
1380
MRAM的优势与劣势
MRAM的优势与劣势-MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术(MRAM设备是Spintronics设备)。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子介绍MRAM有哪些的优劣势. MRAM优势分析 MRAM的核心面积只有SRAM的1/2-1/4,也就是说同面积下缓存容量是sram的2-4倍,可以大大降低成本。 CPU的性能要想进一步提高,缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令,而缓存占用的核心面积往往比核心
MRAM
RAM
2020-04-09 18:54
2452
存储概念这么多,MRAM为何能成为各大厂商的抢手货?
与非网(eefocus)定位为电子技术门户网站和信息服务平台,专注于电子及半导体产业的市场动态和前沿技术,为相关厂商提供信息发布、技术社区等定制化服务,为电子工程师提供产业资讯、新品信息、技术资料和深度市场分析等精品内容。
MRAM
RAM
2020-04-27 16:29
2183
完美收官!《大国重器 - 存储器》内容精选
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长江存储
MRAM
2020-05-05 10:01
1287
这将是MRAM材料的未来?
半导体行业观察:被称为反铁磁体(antiferromagnets)的准磁性材料(Quasi-magnetic)因其在计算机内存中保存比传统磁体所允许的数据更多的潜力而吸引了研究兴趣。
MRAM
开关技术
2020-05-29 09:33
1618
Imec开发出提高MRAM写入速度的新方法
Imec提出了一种用于电压控制磁各向异性(VCMA)磁随机存储器(MRAM)的确定性写入方案,从而避免了在写入之前预先读取设备的需求。这显着改
MRAM
Imec
2020-06-23 00:00
1856
嵌入式 MRAM的高性能应用
翻译自——Semiwiki总结一种新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) IP为高性能嵌入式应用提供了一个有吸引力的选择。介绍如今,社会上广泛
MRAM
嵌入式
2020-06-28 00:00
1800
半导体巨头发起存储技术新变革,这次盯上了MRAM
近年来,在人工智能(AI)、5G等推动下,以MRAM(磁阻式随机存取存储器)、铁电随机存取存储器 (FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM),以及
MRAM
RAM
2020-08-13 00:00
4025
[原创] 台积电布局新存储技术
半导体行业观察:近年来,在人工智能(AI)、5G等推动下,以MRAM(磁阻式随机存取存储器)、铁电随机存取存储器 (FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM),以及可变电阻式随机存取存储器(RRAM)为代表的新兴存储技术逐渐成为市场热点。
台积电
MRAM
2020-08-13 09:28
原创
1123
取代SRAM,MRAM又走近了一步!
半导体行业观察:位于加利福尼亚州弗里蒙特的MRAM初创公司Spin Memory表示,它已经开发出一种晶体管,可以大大缩小MRAM和电阻性RAM的尺寸。
MRAM
RAM
2020-08-15 09:22
2602
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,其原理是
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,其原理是怎样的-MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM的存储原理。MRAM单元的结构和目前硬盘驱动器中GMR读取头的自旋阀膜系结构相似,自旋阀的工作机理如下。 1、自旋阀 电子作为电流的载体,用的是电子的电荷,也就是说电流是电子电荷的输运。但电子不仅有电荷,而且有自旋,自旋阀就是利用电子自旋(而非
MRAM
RAM
2020-10-21 15:29
873
MRAM拥有着广泛的应用领域,它的优异性能是什么
MRAM拥有着广泛的应用领域,它的优异性能是什么-非易失性是指MRAM单元在关断电源后仍可保持完整记亿,功能虽与闪存类同,但本质各异。 闪存的非易失性不是闪存的固有属性,而是靠两个闪存反相器交叉耦合组成,也就是由晶体管、电阻及电容等元器件组合而成的记忆单元,实际上是靠微小电容器存储的一份电荷来保存信息,如果断电则这份电荷就会耗尽。但MRAM单元却简单多了,它的四层薄膜中有三层都是铁磁性材料,写入自由层的数据:0或Ⅰ状态,设置的原理基于磁性材料固有的磁滞效应具有永
MRAM
闪存
2020-10-26 18:36
1106
MRAM拥有着DRAM大容量与SRAM速度快的优点
MRAM拥有着DRAM大容量与SRAM速度快的优点-MRAM己经成为存储芯片行业的一个技术热点.Everspin公司成为第一家提供商用产品的公司。Everspin MR2A16A是全球第一款商用MRAM产品。 该芯片基于Toggle写入模式,并与采用铜互连技术的CMOS相集成。Everspin的MRAM单元采用单个晶体管和磁性隧道结构,结合其受专利保护的体系,以保证磁数据的可靠写入。在MRAM研发领域,Everspin展示了ToggleMRAM的可扩展性和可靠性,同时还在开发嵌入式MRAM,研究用于未来几代技术的新架构、材料和设备,从而继续保持其在MRAM研发方
MRAM
DRAM
2020-10-26 18:37
1319
MRAM是一种全新的技术,它将有望改变PC的应用方
MRAM是一种全新的技术,它将有望改变PC的应用方式-内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少,但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的,一旦没有持续的电力,所存储的数据就会立即消失,这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才能正式使用,而无法像其他家电一样即开即用。然而MRAM却是一种全新的技术,甚至有望令PC的应用方式彻底改变。 一、断电也能保存MRAM技术精髓 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,所谓非易失性是指关掉电源后,
MRAM
DRAM
2020-10-27 21:47
1110
MRAM芯片相比于其它存储器的优势是什么
MRAM芯片相比于其它存储器的优势是什么-对于存储器而言,重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、成本、体积、寿命等。已经有很多种类的产品做出了各种各样的努力,但是始终只能偏重某一方面,而不是面面俱到。也许大家最为看重的是MRAM的非易失性,这的确是很诱人的,毕竟它让使用MRAM内存的电脑可以像电视或者收音机那样能够马上启动。除了MRAM,目前也有不少非易失性存储器,其中包括大家最为熟悉的磁盘〔硬盘、软盘)、Flash Memory(闪存)和EPROM。 作为内存储器,
MRAM
芯片
2020-10-30 18:34
1297
非易失性MRAM存储器在各级高速缓存中的应用
非易失性MRAM存储器在各级高速缓存中的应用-磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存。 MRAM替代SRAM做L2高速缓存 首先比较具有同样面积的MRAM和SRAM。直接用相同面积的MRAM替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时,错误率降低的优势会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗,但当写
MRAM
RAM
2020-11-09 21:25
1344
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是怎样的
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是怎样的-MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ ),而后者则是电荷。 每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化方向一致时,磁性隧道结的电阻最低,其状态为0;反之,则磁性隧道结的电阻最高,其状态为1 最常用的MRAM单元的结构是由一个NMOS晶体管和一个MTJ(作为记忆元件)组成。MTJ与NMOS顺序连接。 NMOS晶体管由字线信号控制,读取数据
MRAM
晶体管
2020-11-09 21:27
1463
MRAM:释放边缘计算无限潜能
边缘计算在工业物联网、机器人、可穿戴设备、人工智能、汽车和便携式设计等领域的应用正在不断增长。伴随着这种增长的是对高速、低延迟、非
边缘计算
MRAM
2020-11-13 00:00
1732
后摩尔时代,自旋芯片可否成主流芯片?
进入10nm工艺制程之后,摩尔定律似乎失效了,处理器性能翻一倍所需时间由原来的两年延至三年,半导体芯片产业发展遇到了技术瓶颈。而以MRAM
芯片
MRAM
2020-11-18 00:00
1100
简单分析新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式的市场
简单分析新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式的市场-新兴的记忆已经存在了数十年。尽管有些人已经发现嵌入式技术在商业上取得了一定程度的成功,但它们也落后于离散存储器的高性价比替代方案。尽管具有更高的性能,耐用性和保留性,或者降低了功耗。 磁阻随机存取存储器(MRAM)最早于1980年代开发,并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同,MRAM将数据存储为磁性元素,而不是电荷或电流。在性能方面由于使用足够的写入电流,因此MRAM与SRAM类似。但是这种依赖性也妨碍了它以更高的密度与
MRAM
嵌入式
2020-11-20 21:35
2012
自旋传递扭矩RAM(STT-MRAM)有着出色的可扩展性和
自旋传递扭矩RAM(STT-MRAM)有着出色的可扩展性和耐用性-自旋传递扭矩RAM(STT-MRAM)它结合了非易失性,出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。 自旋传递转矩(STT)写入是一种通过对齐流过磁性隧道结(MTJ)元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。 STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术,可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器,微控制器和片上
MRAM
ST
2020-11-20 21:37
1301
分析师:PCM和MRAM将主导新兴存储器市场
半导体行业观察:MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下来的十年中,两种新兴的非易失性存储器类型(相变存储器和磁RAM)将在独立存储器中处于领先地位。
PCM
MRAM
2020-11-24 09:24
1652
这种存储将取替嵌入式闪存,挑战MRAM?
半导体行业观察:最近,FeFET初创者FMC获得了包括默克,SK Hynix,IMEC,Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万美元的资金。
MRAM
嵌入式闪存
2020-12-01 09:27
1764
存储新秀FeFET能否挑战MRAM,取替嵌入式闪存?
最近,FeFET初创者FMC获得了包括默克,SK Hynix,IMEC,Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万
FeFET
MRAM
2020-12-01 00:00
1330
NRAM能给现有技术带来威胁吗?
半导体行业观察:谈到新一代非易失内存(NVRAM)/存储级内存(SCM),ReRAM(忆阻器)、PCM(相变内存)、MRAM(磁性内存)这些新技术,我就想起5年前写的《从技术到应用:揭开3D XPoint Memory迷雾》。
RAM
MRAM
2020-12-07 09:21
1789
关于嵌入式STT-MRAM效应与流致反转的分析
关于嵌入式STT-MRAM效应与流致反转的分析-最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场,使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程,因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。 后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有确定的磁场方向,它的磁矩在这里被称为自旋转移力矩或简称自旋转矩,即前面提到的STT。自旋极化电子流可以代替电磁线圈使微磁粒的磁场方向发生
MRAM
ST
2020-12-07 15:24
1460
MRAM依靠优秀的特性和出色的性能,有着强大的竞
MRAM依靠优秀的特性和出色的性能,有着强大的竞争力-一般来说,存储结构设计的核心是确保磁性隧道结所表征的数据可以快速读出,并且能够根据需要快速进行改变,另外还有一些工程上的设计比如堆叠设计、数据密度提升等。而在数据读写方面,还会存在使用磁场写入法和电流写入法两种完全不同的方法。 先来看看磁场法写入数据。这种方法的核心在于数据的写入是通过字线和位线电流流过时同时产生的磁场实现对数据的改写。需要注意的是当字线或者位线二者中的一个有电流流过时,产生的磁场仅仅
MRAM
磁隧道结
2021-02-22 18:25
729
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