摩尔芯闻 > 行业新闻 > 半导体 > [原创] 兆易创新入局19nm DRAM,国产存储如虎添翼

[原创] 兆易创新入局19nm DRAM,国产存储如虎添翼

编辑部 ·2017-10-28 11:43·半导体行业观察
阅读:3117

10月26日,国产半导体厂商兆易创新宣布,将与合肥市产业投资控股(集团)有限公司合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目。继福建晋华、合肥长鑫、长江存储之后,国内DRAM产业又添了一名“猛将”,这将加强国产存储,尤其是DRAM的阵型,为早日打破美日韩连队的存储包围圈,做好充分的准备。

兆易创新插足DRAM 

兆易创新的在其公告中显示,为进一步推动公司发展,北京兆易创新科技股份有限公司与合肥市产业投资控股(集团)有限公司于 2017 年 10 月 26 日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》,协议规定,双方将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)研发项目(以下简称“本次合作”或“本项目”),本项目预算约为 180 亿元人民币。

据公告规定,本项目内容为在合肥市经济技术开发区空港经济示范区内开展工艺制程19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)的研发,目标是在 2018 年12 月 31 日前研发成功,即实现产品良率测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于 10%。

而按照项目产能的约定。在保证合法合规的前提下,项目研发及生产的 DRAM 产品优先供本公司销售并满足本公司客户的市场需求,价格参照市场行情且给予最佳优惠。项目优先承接本公司 DRAM 产品的代工需求,为本公司设计产品的流片、生产提供支持与便利,价格参照市场行情且给予最佳优惠。

其实在早前,兆易创新为了进军DRAM产业,几乎达成了并购ISSI的交易,但由于某些原因,最终只能放弃交易。这次和合肥方面的合作,将会给兆易创新的 “DRAM梦”提供一个新的机遇。与此同时的还有挑战。

兆易创新也在公告中指出,《合作协议》设定的目标实现所需技术难度高,成功与否存在不确定性。但包括兆易创新在内的众多国产厂商投入到DRAM这个产业中去,对于中国电子产业来说是有非常重要的意义的。

我们这里要看一下合作方合肥市产业投资控股(集团)有限公司,在之前,我们应该了解到合肥之前有一个DRAM项目,那就是合肥长鑫,这家公司的注册资金五亿元人民币,全部来合肥市产业投资控股(集团)有限公司。因此这次兆易创新和他的合作,整合合肥长鑫和兆易创新的资源。对国产DRAM产业是一个重大的推进。

为何非做不可?

这其实是一个老生常谈的问题。

DRAM作为电子设备的必备的一个零配件,拥有很重要的地位。尤其是最近一年来的暴涨,更是让有关这个产品的报道也频见报端。这也是从侧面反映出了DRAM的重要。但在早前我们转载一个行业分析师的文章《内存的战争》里中也有提到,这是一个高度垄断的行业:

从数据上看,DRAM的主要市场玩家目前主要包括三星、SK海力士、美光等企业。其中三星更是独霸。据DRAMeXchange于2017年2月的2016 Q4的数据显示,三星以5,918M美元居首,市场份额占47.5%;sk Hynix收入也达到3,330M,占26.7%及Micron的2,421M,占19.4%,Nanya的581M,占3.1%,及Winbond的166M,占1.3%与Powerchip的102M其中三星,海力士及美光为三大,共计占有惊人的93.6%份额。

由上可以看到,三星、SK海力士和美光几乎垄断了所有的DRAM供应。在过往产品产能充足的时候,产品供应或者价格没有那么突出,这也能让人接受。但在疯狂涨价,某几个厂商收割大比利润之后,矛盾就变得更明显了。

依据ICInsights的估计,2017年内存(DRAM)报价涨幅将到达39%。SK海力士最近一季度利润暴涨了400%,反映了业界对DRAM的狂热。但在这背后,仅有的几个厂商却没有扩产意思。集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新调查报告指出,进入第 4 季后,三星、SK 海力士、美光这三大 DRAM 颗粒厂商都基本规划好 2018 年的发展。由于资本支出都趋保守,意味着大规模产能扩张已不可能,甚至制程技术前进的脚步也会缓下来。

DRAM 大厂在 2018 年的首要目标,就是获得持续且稳定的利润,价格至少维持 2017 年下半年的水准。三大厂都无法及时补足市场需求缺口的情况下,预计 2018 年 DRAM 供应持续吃紧,涨价依旧,消费者仍必须忍耐继续花大钱购买产品的情况。

供应商关起们来数钱,这就让DRAM消耗大户——中国OEM厂商如履薄冰。于是国产DRAM加快了进度。

国产DRAM进展

在前面我们提到,除了新入局的兆易创新外,还有其他的DRAM玩家。我们来看一下其他国产DRAM的进展。首先是福建晋华项目。

去年7月份,台湾晶圆代工厂联电与中国大陆福建晋华集成电路公司合作的12吋随机存取记忆体(DRAM)生产线(晋华项目)正式开工。据报道,该项目1期拟投入53亿美元,建设晶圆产线、产业链配套等,预计2018年9月试产,并达到月产6万片的规模。

经过一年多的发展,目前晋华集成电路项目进展顺利,截至5月初,总体主厂房P1部分顶板已经全部完成,P2部分顶板完成了60%。提前20天开展钢结构吊装,而土建方面比我们计划提前了32天。

目前,联电已经在南科厂组建超过100人的团队,投入 DRAM 相关制程,设立小型生产线进行试产。整个专案由前瑞晶总经理、现任联电副总经理陈正坤所领军。第一期月产12英寸60,000片,投资370亿元,于2018年9月达产,预计年销售额12亿美元。而项目的二期工程将在五年内扩产至月产120,000片规模。

但碍于之前与美光诉讼案的干扰,进度稍微落后,不过联电高层跳出来澄清强调,尊重智慧财产权,不会偷技术,将于明年第4季完成第1阶段技术开发。

今年五月,由合肥市政府支持的合肥长鑫公司宣布,预计由合肥长鑫投资72 亿美元(约新台币2,166.46 亿元),兴建12 吋晶圆厂以发展DRAM 产品,未来完成后,预计最大月产将高达12.5 万片规模。据之前报道,该公司预计在2018 年第1 季安装生产设备,并开始与晶圆供应商商谈,以确保2018 年内获得稳定的晶圆供应。

至于相关技术来源,推测当前合肥长鑫公司应没有DRAM 研发能力,因此是从各大记忆体公司挖角来建构自己的技术能量。据了解,目前主要的技术来源主要有两个团队,一个团队的员工主要来自SK Hynix 公司前员工,另一家则是前日本尔必达公司员工。

之前合肥长鑫也不断招募台湾华亚科前员工。由于华亚科在2016 年被美光完全收购前,是全球继三星、美光、SK Hynix 之外,第4 家有能力发展20 奈米制程DRAM 晶片的企业。根据之前的媒体报导,合肥长鑫已从华亚科挖走不少员工,甚至华亚科前资深副总刘大维也成了这家公司的员工。

来到长江存储方面,这家由武汉新芯整合而来的公司在NAND FLASH方面进展不错,至于DRAM方面,根据长江存储执行副董的高启全日前对外表示长江存储已经组建了500多人的研发队伍,正在研发自己的DRAM制造技术,报道还称国产DRAM很有可能直接进入20/18nm先进工艺时代。

根据Digitimes报道,长江存储已经组建了500多人的研发队伍,正在开发自己的DRAM制造技术。至于国产DRAM内存到底是什么技术水平,原文报道称很可能直接进入20/18nm工艺——如果是真的,那么这个技术水平确实很先进了,虽然三星两年前就量产20nm工艺了,不过美光、SK Hynix公司今年才会完成制程转换,而18nm目前就只有三星一家大规模量产,其他两家还在准备中。

挑战与机遇并存

我们看到,存储的基于肯定存在的,但机遇与挑战并存。这主要体现在技术、资金和人员方面。

业界人士透露,要做DRAM,不是只有厂房、机器设备以及挖人就好了,技术是最重要的关键,技术开发成功后,还要获得客户的认证通过。中国发展DRAM不是想像中这么容易。

力晶董事长黄崇仁也认为,DRAM产业要发展已经变得非常困难,现在全球DRAM厂商用的都是老设备,成本比较低,现在要盖一座新厂,成本是2倍之多,DRAM后面的投资越来越高,每颗晶粒的成本变的非常高,成本没有办法降低,20nm已经是瓶颈了,并不会持续微缩得到优势,且5年来没有DRAM新厂兴建,未来更没办法与老厂竞争。

黄崇仁也表示,大陆想要做DRAM,看起来没有这么理想,除非美光技术授权,但现在看起来不可能,韩国厂商更不可能,而且中国政府不可能采用补贴的措施去扶植DRAM产业,绝对不会发生生产1颗补贴1颗的事情。

业界分析,DRAM专利技术门槛高,韩国三星、SK海力士与美国美光三大DRAM大厂技术防线守得紧、全力围堵,量产更是打工程人力的团体战,专利与工程人力两大条件,中国大陆都欠缺,光靠砸钱挖角,技术却无着落,是完成不了逆袭的,看来大陆要认真考虑一下新的发展DRAM方式了。

这次兆易创新的高调入局,会否给咱们国家的DRAM产业更新的激励和进步呢?尚待观察。不过对于兆易创新来说,从传统的Fabless走向IDM,从Nor FLASH、MCU供应商走向DRAM,这可以说得上是一场豪赌。

分享到:
微信 新浪微博 QQ空间 LinkedIn

上一篇:一图看懂中日韩面板争霸史

下一篇:各类半导体装备的国产化率到底有多少?

打开摩尔直播,更多新闻内容
半导体大咖直播分享高清观看
立即下载