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国产唯一,诺思两款FBAR工艺LTE频段双工器正式发布

半导体行业观察 ·2018-11-15 08:46·半导体行业观察
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国内首家薄膜体声波(FBAR)芯片制造商 诺思(天津)微系统有限责任公司 (以下简称诺思),近日在第二届重庆国际手机博览会上发布了基于FBAR工艺的两款中高频LTE频段双工器,RSFD1702C及RSFD2502C。

诺思副总裁蒋浩在展会上说,自2014年开始大批量交付以来,诺思已经向全球 100余 家客户供应了射频滤波芯片近 1亿颗 ,广泛应用于各类3G/4G无线智能终端、导航终端及设备、基站、卫星通讯、物联网终端等领域。

蒋浩谈到,公司研发团队在FBAR领域17年持续、不间断努力,不断提升产品设计能力和制造工艺能力。截止到今天,公司仍然是国内唯一掌握自主知识产权,唯一实现大批量交付,且各项性能指标全部达到甚至部分超过国际同行业水平的公司。2019年诺思工厂交付能力将达到20亿颗/年。

本次在展会上诺思发布的双工器,预计将在2018年12月大批量交付市场。同时蒋浩还透露,今年年底前诺思还将发布一款高功率全频段滤波器产品和针对5G新频段的滤波器样品。

RSFD1702C 采用最新的技术和工艺,保证滤波器具有优良的上行/下行通带插损性能。上行通带整体插损性能优于-2.4dB, 通带中央插损-1.1dB,同时具有较高的功率容量。下行通带中央插损约-1.5dB, 同时具有较高的功率容量,可应对基站应用的需求。同时,该款产品具有较高的上行/下行之间的隔离度性能,达到-55dB以下。该产品还采用了先进的芯片倒装封装工艺,产品尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm,以适用于客户对系统空间不断提高的要求。

RSFD2502C 具备了FBAR滤波器高滚降,高功率,1000V以上的防静电击穿能力(ESD)的特点,与此同时以更小尺寸为客户节省更多的集成空间。性能方面RSFD2502C的发射端(Tx Port)提供了右侧的高抑制度,全温通带内(-20℃~+85℃)低插入损耗,主要体现在工作状态下高耐受功率的特性。接收端(Rx Port)提供了全温通带内(-20℃~+85℃)的低插入损耗和发射端(Tx Port)的高隔离度,为应用环境提供了优秀的灵敏度。

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