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SK海力士增资扩产,NAND FLASH将迎来暴跌?

半导体行业观察 ·2018-10-05 11:12·半导体行业观察
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来源:内容综合自unwire等媒体,谢谢。


韩国芯片生产商SK Hynix 之前计划在南韩开设新的芯片厂房,以对应日渐增加的需求。最近他们更宣布提升投资金额接近三成,以对应不断提升的设备成本。


这个新厂房计划原先在2016 年公布,SK Hynix 当时表示会投资15.5 兆韩圜与清州市,建设新厂房M15,占地6万平方公尺。2017 年4 月开始动工,最近终于落成,预计在今年内正式启用。在最近的声明中,SK Hynix 表示厂房最新的投资总额为20 兆韩圜(约1,388 亿港币),投资额的提升主要是因为制作NAND 芯片所使用的精密器材成本上升。


不过,这个计划开始的时候正值NAND 芯片价格飙升的时候,目前市场已经冷静不少,美国投资暨研究机构Evercore ISI 报告指出,预计2019 年上半年,NAND Flash 的价格将急剧下跌。面对市场变化,SK Hynix 表示,设备安装的时间应该以市场情况为考虑因素。


这个新厂房将会用作生产第四代72 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体,未来则会生产第五代96 层3D NAND Flash 快闪记忆体。第五代96 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体,比起第四代72 层堆叠产品,在传输速度、容量、功耗上都有30-40% 的提升。


英特尔NAND FLASH工厂也完工


处理器大厂英特尔(Intel)在2015 年宣布,其总投资55 亿美元的中国大连的Fab 68 晶圆厂第2 期工程改造为NAND Flash 快闪记忆体工厂之后。上个月底,英特尔宣布已经正式投产。未来,主要将生产96 层堆叠的3D NAND Flash 快闪记忆体,积极追赶竞争对手的市占率。


根据统计,在全球NAND Flash 快闪记忆体市场上,南韩三星的市占率高达到37%,东芝、西部数据则分别有20%、15% 左右的市占率。再来才是美光、SK Hynix,英特尔是全球6 大厂商中市占率最少的,不足10%,这也导致英特尔过去在NAND Flash 快闪记忆体,以及SSD 硬碟市场上主打企业级市场,消费等级SSD 市场就放置在重点之外,造成影响力远不如三星、东芝、美光等竞争对手。而会有这样情况的原因,就在于英特尔没有自己独立的NAND Flash 快闪记忆体产能。


而为了填补此空缺,2015 年英特尔宣布,将在中国大连的Fab 68 工厂建设第2 期工程,用于生产非易失性记忆体,也就是NAND Flash 快闪记忆体,总投资高达55 亿美元。如今,经过3 年的建设,Fab 68 工厂的第2 期工厂正式投产,主要将生产96 层3D NAND 快闪记忆体,这也意味着英特尔未来的3 D NAND 快闪记忆体产能将会大增。


据了解,英特尔2006 年与中国大连市政府达成合作协定,2007 年起在大连投资25 亿美元,建设12 英吋晶圆厂,主要负责处理器封装测试,2010 年大连晶圆厂正式落成。至于,现在宣布量产的中国大连Fab 68 第2 期工厂,未来将成为英特尔最重要的NAND 快闪记忆体生产基地。预计,英特尔的70% 3D NAND 快闪记忆体将产自这里。至于,与美光共同合作的3D XPoint 快闪记忆体,则在英特尔与美光宣布两家公司分道扬镳之后,英特尔正在把研发基地移师到新墨西哥州的工厂,预计会增加当地100 多个工作岗位。



目前,英特尔与美光的3D XPoint 快闪记忆体主要是在美国犹他州的工厂生产。双方在正式分道扬镳之前,将会继续努力合作完成第2 代3D XPoint 技术开发,最终将会在2019 年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会各奔前程,各自开发基于3D XPoint 技术的第3 代产品。


东芝与西部数据96 层3D NAND Flash 晶圆厂9 月量产


与此同时,日本记忆体大场东芝记忆体(Toshiba Memory Corporation)与西部数据(Western Digital)于上月19 日宣布,共同在日本三重县四日市的6 号晶圆厂(Fab 6)举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区,并设有记忆体研发中心(Memory R&D Center)。


东芝记忆体是自2017 年2 月开始兴建6 号晶圆厂,为生产3D NAND Flash 快闪记忆体的专用生产厂区。东芝记忆体与西部数据已针对沉积(deposition)与蚀刻(etching)等关键生产制程开始部署先进制造设备,新厂已经在9 月初开始量产新一代96 层3D NAND Flash。


有鉴于3D NAND Flash 在企业伺服器、资料中心及智慧型手机的需求不断成长,未来几年这些需求将持续扩大的情况下,为因应此市场趋势,未来可望进一步投资扩大产能。而且,与6 号晶圆厂相毗邻的记忆体研发中心,也已经于2018 年3 月开始营运,负责研发及推动3D NAND Flash 的发展工作。


东芝记忆体进一步指出,将与西部数据持续推动并扩展双方在记忆体事业的市场领导地位,积极开发各项计画以强化竞争力,推动3D NAND Flash 的共同开发,并根据市场趋势规划资本的投入。对此,东芝记忆体社长暨执行长成毛康雄(Yasuo Naruke)表示,东芝记忆体很高兴有这个机会能为新一代的3D NAND Flash 开拓更广阔的市场。而6 号晶圆厂和记忆体研发中心能让东芝记忆体在3D NAND Flash 市场中维持领先地位,而且相信与西部数据的合资事业,将能协助四日市的工厂继续生产市场上最先进的记忆体。


西部数据的执行长Steve Milligan 也同时指出,很荣幸能与西部数据的重要合作伙伴──东芝记忆体一起为6 号晶圆厂和记忆体研发中心揭开序幕。近20 年来,两家公司合作无间,带动了NAND?? Flash 技术的成长和创新。此外,目前也正积极提升96 层3D NAND Flash 的产能,以因应从消费性、行动应用到云端资料中心等终端市场的各式商机,且6 号晶圆厂具备先进技术设备,将进一步提升东芝记忆与西部数据在业界技术领先和成本领导的地位。


分析师:NAND Flash 价格将迎来下跌


除了三星外,我们可以看到几大NAND FLASH大厂都在大幅扩产。


分析师估计,明年上半为止,NAND Flash 价格将大跌10% 以上,宣布下调美国硬碟大厂Seagate 和Western Digital(WD)目标价,重创两家公司股价。


时事通信社上月19日也报导,就长期来看,记忆体(NAND Flash)需求虽预估将扩大,不过受记忆体当前价格走跌影响,就短期来看,TMC将考虑是否减产。TMC社长成毛康雄于19日举行的记者会上表示,就长期来看,记忆体需求将扩大,因此考虑增强生产设备、技术人员,不过受记忆体价格走跌影响,「(就短期来看)有各种调整的空间」。


日经新闻报导,NAND Flash价格进一步走跌、今年来跌幅已超过3成。8月份TLC(Triple Level Cell)128Gb批发价月减3%至每个3.3美元左右、连7个月下滑,256Gb产品也月减3%至每个5.6美元左右。


在大厂扩厂,价格下跌的时候,对于国内的长江存储来说,考验才是最大的!


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1727期内容,欢迎关注。


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