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稳住DRAM价格,三星、SK海力士将调整供给量

DIGITIMES ·2018-09-26 20:12·电子工程世界
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业界对存储器市场景气预估意见纷歧,传出三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)可能弹性调整供给量配合市场需求,避免 DRAM 价格下跌。但除了国外分析师对市场景气看坏,韩国金融业界也预估两大韩厂会持续扩大DRAM供给量,呼吁厂商暂缓投资。

据韩媒Digital Daily报导,最近有若干产业分析报告书提到,韩国存储器厂商的DRAM库存量换算成金额时,大约是厂商公布的4倍之多,消息引起韩国业界反弹,认为报告书内容毫无根据。

韩国业界表示,存储器制程技术持续发展,自然会带动产品价格下滑,若欲维持一定市场价格,则需要厂商主动节制出货量。三星电子与SK海力士尚未确定设备投资金额,若能采取符合市场情况的弹性调整策略,将可避免价格暴跌。

主张存储器价格已攀升到最高点的专家认为,三星电子与SK海力士持续新增投资,因此会造成价格下跌。2018年7月便有分析师提到,三星电子为了牵制竞争对手,将会点燃流血竞争的战火,造成市场供给过剩。

实际上三星电子放慢平泽工厂的DRAM产线扩产速度,考虑采取较保守的供给策略,平泽工厂的剩余投资最快在2018年底才会执行。SK海力士即将启用的M15新厂将以生产NAND Flash为主,DRAM工厂M16预定2019年才会动工。

报导分析,三星电子近来调降利润低的移动DRAM生产比重,提高利润高的服务器DRAM供给,DRAM价格缓慢下跌可能受此转换过程影响,并非完全是因为市场普遍认为的供给过剩所造成。

专家认为NAND Flash价格下跌虽是影响市场景气的因素,但价格上涨才是反常。厂商的制程、技术愈来愈进步,理应让生产成本与市场价格下跌。

韩国金融业界呼吁两大韩厂应减少扩产投资,避免价格过度价跌,认为三星电子应不会进行2018年下半DRAM与NAND Flash的新增产线投资,即便有投资也是小规模水平。SK海力士在第3季执行部分NAND Flash新增投资,DRAM则要到2018年底或2019年初才会有小幅度投资。

 
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