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英特尔大连二期工厂投产:主攻96层3D NAND

超能网,科技新报 ·2018-09-26 08:43·半导体行业观察
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在英特尔的转型业务中,存储芯片业务未来会占据更多的比重,尽管目前营收的绝对主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的,也就是IMFT公司,不过IMFT现在是美光为主,在第四代3D NAND闪存及第二代XPoint闪存之后,英特尔将与美光公司和平分手,双方各自研发、生产自家的闪存芯片。

英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂,总投资55亿美元,现在,二期工厂已经投产了,主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。

根据统计,在全球NAND Flash快闪存储器市场上,韩国三星的市占率高达到37%,东芝、西部数据则分别有20%、15%左右的市占率。再来才是美光、SK Hynix,英特尔是全球6大厂商中市占率最少的,不足10%,这也导致英特尔过去在NAND Flash快闪存储器,以及SSD固态硬盘市场上主打企业级市场,消费等级SSD市场就放置在重点之外,造成影响力远不如三星、东芝、美光等竞争对手。而出现这种情况的原因,就在于英特尔没有自己独立的NAND Flash快闪存储器产能。

2015年英特尔宣布将在中国大连的Fab 68工厂建设二期工程,主要生产非易失性存储器,也就是NAND闪存,项目总投资不超过55亿美元。如今经过三年的建设,Fab 68二期工厂正式投产,主要生产96层3D NAND闪存,这也意味着英特尔未来的3D NAND闪存产能将会大增。

据了解,英特尔2006年与大连市政府达成合作协定,2007年起在大连投资25亿美元,建设12英寸晶圆厂,主要负责处理器封装测试,2010年大连晶圆厂正式落成。至于现在宣布量产的大连Fab 68第2期工厂,未来将成为英特尔最重要的NAND快闪存储器生产基地。预计,英特尔70%的3D NAND快闪存储器将产自这里。至于与美光共同合作的3D XPoint快闪存储器,则在英特尔与美光宣布两家公司分道扬镳之后,英特尔正在把研发基地移师到新墨西哥州的工厂,预计会增加当地100多个工作岗位。

目前,英特尔与美光的3D XPoint闪存主要是在美国犹他州的工厂生产,双方将继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发,最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳,各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品。

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