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三种新内存技术,锁定计算需求

半导体行业观察 ·2021-12-19 11:43·半导体行业观察
阅读:2857

来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank) 编译自 allaboutcircuits ,谢谢。


最近的三个公告反映了内存市场中正在发生的事情——以及它如何与高性能计算发展之间的关系。
随着人工智能 (AI)、增强现实(AR)、超大规模计算和 5G 通信等多个领域的进步,内存正达到一个临界点。因此,研究人员和半导体供应商一直在开发新的存储器技术以满足更新的行业标准。三款新产品正在满足这些需求。

三星推出LPDDR5X 技术


作为内存技术的领导者,三星凭借其业界首款 14 纳米、16Gb LPDDR5X DRAM 设备,延续了其传统。


DDR 和 DRAM都不是新概念,但三星通过将处理速度 (8.5 Gbps) 提高 30%,同时将功耗降低 20%,改进了其已经高性能的 LPDDR5 系列。三星声明的 LPDDR5X 应用是 AI、AR 和元宇宙。此外,该公司表示,该解决方案可以为每个内存包提供高达64 GB的容量。
三星希望新的LPDDR5X系列芯片能够应用于数字现实世界。该公司还计划在未来扩大其移动DRAM产品线。

长江存储3DNAND性能


在三星致力于 DRAM 的同时,XperiHolding Corporation 和长江存储技术正在合作改进基于 3D NAND 的内存。基于 NAND 的存储是一种非易失性技术,其中读/写功能类似于 NAND 门的行为。这种类型的技术是最快的固态设备 (SSD) 内存拓扑结构之一。
长江存储有一种称为直接键合互连 (DBI) 的新型芯片制造方法,该方法涉及用于集成电路 (IC) 设计的混合铜键合。这种键合方法用于基于 3D NAND 的设计,为高性能 NAND 闪存 IC 提供更高的密度。

晶圆到晶圆介电键合工艺与低温混合键合工艺
此外,DBI 技术使存储器和逻辑电路能够分离。这很重要,因为它们都可以利用单独的晶圆工艺来提供更好的整体设计。

铠侠在企业和数据中心固态硬盘中采用 PCIe 5.0


最后,铠侠美国最近推出了自己的企业和数据中心外形 (EDSFF) E3.S SSD 系列,采用 PCIe 5.0 技术。这些 SSD(名为 CD7 系列)中的 PCIe 5.0 功能是同类产品中的首创,而铠侠能够通过摆脱标称的 2.5 英寸外形尺寸 SSD 设计来实现此功能。新的外形规格系列针对高性能服务器和存储应用程序进行了优化。
铠侠的新型 SSD还具有改进的气流和热设计,能够提供高达 70 W 的功率分布——远高于当今25W的2.5 英寸外形尺寸。


PCIe 5.0 和未来的 PCIe6.0 规范要求从当前的 2.5 英寸外形尺寸提高信号完整性,CD7系列考虑到了这一点。该系列还将 PCIe 通道的数量从 4 条减少到 2 条,从而使设备连接端口数量增加了一倍。
这个新系列具有四种不同的外形尺寸,具体取决于具体的应用和功率要求。CD7 系列的其他一些显着特点包括:
  • KIOXIA的BICS FLASH 3D TLC闪存
  • 高达 7.68 TB 的容量
  • 最大 6450 MB/s 读取吞吐量
  • 每秒 1050 K 随机读取输入/输出操作(IOPS)
  • 75 μs 读取延迟和 14 μs 写入延迟

随着计算和连接的发展,内存也在不断发展


总的来说,这些公司和其他公司正在内存技术方面开辟新途径,以应对通信和计算行业的严格要求。与将硬盘驱动器 (HDD) 内存转换为固态驱动器 (SSD) 不同,这场新的革命将以SSD的形式继续进行。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


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