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快速学Arm(28)--存储器寻址

eefocus ·2021-01-18 00:00·电子工程世界
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介绍一下LPC2300系列的存储器大小情况,看下面的表:

快速学Arm(28)--存储器寻址
其中Flash为128Bit宽,可以用于代码和数据的存储,并具有预取指和缓冲技术.文档里介绍Flash为128bit宽,但我理解,其地址排列依然是按byte来进行的.


片内Flash编程方法有以下几种

1.使用JTAG方正/调试器,通过芯片的JTAG接口下载程序.

2.使用系统编程技术(即ISP),通过芯片的UART0接口下载程序.

快速学Arm(28)--存储器寻址
3.使用应用编程技术(即IAP),在用户程序运行时对Flash进行擦除和/或编程操作,实现数据的存储和固件的现场升级.

对于片内的静态RAM来讲.尽管SRAM的读写速度非常快,但是相对于ARM内核类说速度还是不够,这就有可能造成在连续读写操作的时候,CUP会停下来等待SRAM的读写,导致程序运行速度受到影响.因此,为了"防止CPU在连续的写操作时停止运行",SRAM控制器包含了一个"回写缓冲区","回写缓冲区"总是保存着软件发送到SRAM的最后一个字数据.


关键字: Arm 存储器 寻址 编辑:什么鱼 引用地址: http://news.eeworld.com.cn/mcu/ic523443.html
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