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传言ASML已经开始设计1nm制程EUV光刻机

爱集微 ·2020-12-02 00:00·电子工程世界
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Sparrowsnews援引日媒Mynavi消息报道,比利时半导体研究机构 IMEC的CEO兼总裁Luc Van den hove在日本东京ITF论坛上透露,通过与 ASML的紧密合作将下一代高分辨率EUV技术进行了商业化。


Luc Van den hove并公布了3nm及以下制程的微缩层面技术细节。截至目前,ASML 已经布局了 3nm、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未来发展路线规划。


根据先前晶圆大工大厂台积电和三星电子介绍,从 7nm制程技术开始,部分制程技术已经推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光设备,5nm制程技术也达成了频率的提升,但对于2nm以下的超精细制程技术,则还是需要能够达成更高的分辨率和更高 NA (NA=0.55) 的曝光设备。

对此,目前 ASML 也已经完成了做为 NXE:5000 系列的高 NA EUV 曝光设备的基本设计,但商业化的时间则是预计最快在 2022 年左右。

该报道指出,包括日本在内的许多半导体公司已经退出了微缩化工艺,声称摩尔定律已经走到了尽头,或者称它成本过高且无利可图。

但ASML过去一直与IMEC密切合作开发光刻技术,但为了开发使用高 NA EUV 曝光设备,ASML在IMEC的园区内成立了新的“IMEC-ASML 高 NA EUV 实验室”,以共同开发和使用高 NA EUV 曝光设备的相关技术。


关键字: ASML 编辑:北极风 引用地址: http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic518394.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
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