摩尔芯闻 > 行业新闻 > 半导体 > 富士通全新4Mbit FRAM,苛刻环境下汽车和工业应用的理想之选

富士通全新4Mbit FRAM,苛刻环境下汽车和工业应用的理想之选

EEWORLD ·2020-07-24 00:00·电子工程世界
阅读:1106

富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,其容量达到FRAM产品最高水平,运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。

这款全新FRAM是非易失性内存产品,在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数,工作电流低,是工业机器人和高级驾驶辅助系统(ADAS)等汽车应用的最佳选择。

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,并已量产20多年,近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

image.png

MB85RS4MTY 8-pin DFN(顶部・底部)

自去年发布以来,2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用,而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍,达到4M bit,满足更高容量的需求,配有SPI接口,工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低,即使在125℃高温下,最大工作电流仅为4mA(运作频率50MHz),最大掉电模式电流为30µA,因此有助于降低环境敏感应用的功耗。

image.png

这款全新FRAM在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数,适合某些需要实时数据记录的应用。例如,每0.03毫秒重写一次数据,同一地址连续记录数据可达10年之久。

这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装,可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外,还提供8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。

关键规格

•        组件型号:MB85RS4MT

•        容量(组态):4 Mbit(512K x 8位)

•        接口:SPI(Serial Peripheral Interface)

•        运作频率:最高50 MHz

•        运作电压:1.8V - 3.6V

•        运作温度范围:-40°C - +125°C

•        读/写耐久性:10兆次(1013次)

•        封装规格:8-pin DFN,8-pin SOP

词汇与备注

铁电随机存取内存(FRAM)

FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM,亦称为FeRAM。


关键字: 富士通 FRAM 编辑:muyan 引用地址: http://news.eeworld.com.cn/qrs/ic504300.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
分享到:
微信 新浪微博 QQ空间 LinkedIn

上一篇:阿里新设子公司加码布局集成电路产业

下一篇:英特尔7nm芯片再遇坎坷,产品上市时间待定

打开摩尔直播,更多新闻内容
半导体大咖直播分享高清观看
立即下载