与非网 5 月 22 日讯, 南大光电 193nm 光刻胶 产品正在测试阶段,公司将在新基建的发展中,紧紧抓住“替代进口”的机遇,为国内集成电路产业的发展突破瓶颈和国产化做出积极的贡献。

半导体 光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种,分别是紫外全谱(300~450nm)、G 线(436nm)、I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(EUV),相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。

不同的光刻胶中,根据不同的需求,关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等也有所不同,使得光刻胶有不同的性能,进而能够满足相应的需求。目前英特尔,三星等大的半导体制造商,芯片产品已经将量产工艺推进到了 14nm 至 28nm 区间,这个也代表目前量产的最高工艺。

所以以上光刻胶种类里,能够采用 193nm 激光光源的浸润 ArF 线光刻胶,是唯一能够满足应用的光刻胶产品,具有极高的技术壁垒,是半导体光刻胶高精尖的代表。

2018 年全球半导体用光刻胶市场,G 线&I 线、KrF、ArF&液浸、ArF 三类光刻胶三分天下,占比分别占 24%、22%、42%。其中,ArF/液浸 ArF 光刻胶主要对应目前先进 IC 制程。

未来,随着功率半导体、 传感器 、LED 市场的持续扩大,I 线市场将持续增长。而随着精细化需求增加,I 线光刻胶将被 KrF 光刻胶替代,KrF 光刻胶市场需求将不断增加。

在全球半导体光刻胶领域,主要被日本合成橡胶(JSR)、东京应化(TOK)、罗门哈斯、日本信越、富士材料等头部厂商垄断。相较之下,中国企业份额不足 10%,半导体光刻胶和 LCD 光刻胶都严重依赖进口,虽然国内光刻胶产业尚不成熟,但是,国内企业已迎来代替窗口。

第一、新建晶圆厂投产:2020 年~2022 年是中国大陆晶圆厂投产高峰期,以长江存储,长鑫存储等新星晶圆厂和以中芯国际,华虹为代表的老牌晶圆厂正处于产能扩张期,未来 3 年将迎来密集投产。

第二、光刻胶代替窗口期:根据光刻胶的特性来推断,新建晶圆厂将是光刻胶国产代替的主要发展企业。国内新建晶圆厂的密集投产为光刻胶打开了最佳代替窗口。世界面板产能持续向中国转移,国内面板光刻胶市场需求预计约为 105 亿元。二者合计将带来约 160 亿元的市场空间。而且在全球经济矛盾的情况下,产业地位更加重要了。

光刻胶技术在半导体制造中至关重要,国产替代势在必行。目前光刻胶的国产化正在加速,但是半导体和 LCD 高端光刻胶技术与国外有较大差距。在自主研发,原材料依赖,厂商不易切入供应链和稳定商用等方面还是有很大的阻碍。

但随着电子信息产业向中国转移和配套产业链的完善,未来进口替代是趋势所向,其中大部分中低端产品已实现进口替代,部分优秀企业已在高端产品进口替代上取得了重大突破,进口替代趋势愈加明显,国产替代或即将实现。