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[原创] 三星升级再扩产,长江存储顶得住吗?

半导体行业观察 ·2018-07-15 12:09·半导体行业观察
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日前,三星宣布其第五代V-NAND芯片正式量产。因为首次采用了Toggle DDR 4.0接口界面,在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps,比上代64层堆叠提升了40%,同时电压从1.8V降至1.2V,能效大大提高。正在大家感叹于三星的技术进展神速的时候,三星再祭出一个大杀招,那就是继续投资扩充产能。


这对于正在投入巨资争取Flash国产化的长江存储来说,无疑是一个大挑战。



双管齐下增强闪存市场影响力


据半导体行业观察(微信号:ICBANK)了解,三星前一代的V-NAND是64层的,新产品除了上面介绍的那些提升以外,延迟、耐久和可靠性有了一定的提高,且每个存储层的厚度已经削薄了很多。三星方面披露的消息可以看到,其第五代的首批采用了96 layer的设计,不但能将单die的容量扩充到32GB(手机等消费电子常用的规格),同时还将产能提升了30%。


与此同时,韩媒表示,三星上调了NAND Flash的投资到150亿美元,扩大韩国平泽工厂和中国想工厂的产能。技升级术和产能扩产双管齐下,考虑到三星在这个市场的影响力,NAND Flash一场“大战”在所难免。


分析机构DRAMeXchange的数据显示,2018年第一季度,三星存储的时候高达37%,虽然较之上一季度有了5.6%的下滑,但是从份额上看,几乎是是全球排名第二的东芝的两倍。可以看到三星在这个市场的巨大影响力。


2018年第一季度NAND Flash品牌厂商营收数据


超高的市场份额,加上产品的缺货和涨价影响,也带动了三星在过去两年业绩的攀升。2017年三星总收入2247.3亿美元,同比增长了18.7%,全年利润也高达395.7亿美元。而在今年第一季度,三星净利润将达到历史新高的107亿美元,同比增长52.11%。


可以看到,依赖于技术优势,三星挣到了份额和大量的钞票。


长江存储投入巨资欲打破垄断


从上图可以看到,来自美日韩三国的三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士和英特尔总共占领了全球99%的NAND Flash出货量,而中国作为最大的电子制造国,加上近年来国产手机、大数据和服务器存储等需求的攀升,国内的NAND FLASH需求也在增加。


据数据显示,早在2014年,国内消耗的NAND Flash全球占比就高达20.6%,这几年的份额占比绝对也是有增无减。而去年,我国进口的两千多亿芯片中,包括NAND FLASH和DRAM在内的存储芯片的占比更是接近50%,达到889.21亿美元。加上闪存市场未来看好,因此无论是从经济或者是自主可控来看,发展国产存储是势在必行。而紫光集团旗下的长江存储在过去两年一直执行这个相关攻坚工作。


长江存储成立于2017年7月,是紫光并购武汉新芯而成立的新公司。确定了3D NAND Flash为发展目标后,紫光集团延揽了台湾DRAM教父高启全来操盘,并取得了快速进展。


赵伟国展示长江存储32层64G存储芯片


2017年9月,长江存储一期提前封顶;同年11月中旬,紫光集团董事长赵伟国参加央视《对话》栏目中展示了一颗32层64G存储芯片。他表示这枚芯片价值10亿美元,是长江存储1000人干了2年时间研发出来的;12月在乌镇举办的世界互联网大会上,赵伟国正式宣布,紫光旗下的长江存储已经研发出了32层64G的完全自主知识产权的3D NAND芯片,2018年将实现量产。


长江存储装机仪式


今年四月的时候,长江存储机台正式搬入。启动仪式上,紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全披露,长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单,总计10776颗芯片,将用于8GB USD存储卡产品;次月,来自荷兰ASML的193nm沉浸式设计,可生产20-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆的光刻机也抵达武汉。这代表着国内实现 3D NAND 量产的全新起点,对中国半导体产业极具里程碑意义!


而他们也计划从明年开始投入64层堆叠、单颗容量16GB闪存的研发。国内存储正在走上一条高速发展的道路,但危机似乎已经显露。


三星等厂商意在“绞杀”国产存储?


自由竞争的市场是非常残酷的,因为领先者可以凭借其技术、价格、经验甚至现金流打败你。而长江存储也正在面临同样的威胁。


前面已经提到,三星已经成为NAND Flash领域的全球领导者,他们的产品和技术是毋庸置疑的,且已经经过市场考验的。对于开发者来说,选择三星他们的产品,是一个高枕无忧的方案。对于新入者来说,如果在产品性能或者价格方面你没有太大的优势,是根本无法在一个市场上与成熟的竞争者竞争。


以长江存储为例,如果说去年高涨的NAND Flash价格高企,是他们的一个巨大的机会,但现在各大厂商的NAND Flash的放量和扩产,NAND Flash供过于求,价格下探,根据inSpectrum Tech Inc.的数据,128G MLC NAAD 闪存芯片的价格下跌约9%。价格优势的小时,给长江存储带来了潜在的压力。


与价格持续高企的DRAM不一样,NAND Flash在经历了去年的疯涨以后,今年颓势尽显。按照DRAMeXchange在今年六月底的分析,2018年上半年NAND Flash市场状况,受到传统淡季冲击及64 / 72层3D NAND产能稳定扩张影响,各类产品合约价已连续两季下跌。展望第四季,在供给面虽然新增产能不多,但供应商的64 /  72层产品良率预期皆将接近或超过80%水准,达到成熟状态,加上供应商并准备新增或转移产能至96层工艺,带动产出持续成长,NAND Flash价格恐进一步下跌。


但在三星宣布进一步加大投资扩产以后,他们或许想重演当初DRAM的“壮举”,长江存储面临的形势更加严峻。在这里,我们谈一下三星在DRAM上面的一系列“神操作”,方便大家理解这背后的逻辑。


2017年Q4 DRAM 的市场份额


众所周知,三星除了NAND FLASH是全球领先之外,他们在DRAM方面也是名列前茅的,在这个领域,他们的份额更是接近50%,遥遥领先于第二名。前三供应商也占有全球近96%的市场份额。但这在2008年之前,寡头效应还没那么强。


2007年Q2的DRAM销售排行


知名博主饭统戴老板在其文章《内存的战争》中有提到,2008年金融危机前,全球共有五大DRAM供应商,分别是:三星(韩)、SK海力士(韩)、奇梦达(德)、镁光(美)和尔必达(日),五家公司基本控制了全球DRAM供给。但三星以独霸天下为目标,以政府输血为手段,在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候,你是疯狂扩产,通过大规模的生产进一步下杀产品价格,逼迫竞争对手推出市场或者破产,这就是所谓的“反周期定律”,在这次的厮杀中,三星把日本最后的DRAM厂商尔必达打到破产,而曾经不可一世的奇梦达也消失了,三星也吃掉了他们的大部分市占。在过去的几十年发展中,三星实施了三次这种反周期定律,一家独吃两大存储市场。也许在NAND Flash领域,三星将启动其第四次“反周期定律”。


因为数据上看,国内无疑是三星最大的存储市场,如果长江存储发展起来,首当其冲的是他们无疑,从生意的角度看,在自由竞争的市场打击竞争对手,是他们的本分。对于正在襁褓中的长江存储来说,前路则是荆棘满途。


文/半导体行业观察 李寿鹏


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1648期内容,欢迎关注。


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