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ICinsights:业界高估NAND需求,价格将进一步下降

半导体行业观察 ·2018-07-12 09:08·半导体行业观察
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来源:内容来自「钜亨网」,谢谢。


据调研机构IC Insights 周二(10 日) 最新研报指出,预计全球主要NAND 供应商将大幅扩大资本支出,来拉高产能,估计今年的NAND 记忆体价格将进一步走跌。


近年NAND 资本支出比较(图: IC insight)


如上图所示,美光认为,NAND记忆体产业为了维持出货成长,每年都将增加40%资本支出扩增产能,2015年资本支出为90亿美元,到2018年已增加2倍达220亿美元,之所以有这么庞大的资金成长,是各厂都积极往3D NAND方向布局,由于3D NAND需要更多的晶圆厂设备与无尘室,造成资本支出金额成长。


全球五大NAND 记忆体供应商也都声称,相信未来几年内,NAND 出货量每年的成长率平均约为40%。而如上图所示,去年美光为要支持NAND 记忆体40% 的出货量增长,事实上实际资本支是出比所需之资本支出还要超出27%,而今年预计将会有超过41%的额外资本支出,资本支出预算一路扩大。


记忆市场的历史先驱表明,过多资本支出通常会导致产能过剩,以及价格疲软;三星)、海力士、美光、英特尔、东芝、Western Digital和武汉新芯都计划未来几年内大幅提升3D NAND记忆体产出数量,其他新的中国厂商也可能会持续进入这个市场。IC Insights认为,产业各厂高估3D NAND市场需求,风险持续不断升温。


旺季需求动能不如预期研调,价格进一步下跌


展望下半年NAND Flash 市场,据集邦科技旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示,受到需求动能相对平淡,加上供应商64/72 层3D NAND 良率与产出继续提升影响,市场将由原先预期的供给紧缩,转为趋近供需平衡状态,预期各产品合约价将续跌。


上半年NAND Flash 市况受到传统淡季冲击与64/72 层3D NAND 产能稳定扩张影响,DRAMeXchange 指出,各类产品合约价已连续2 季下跌,各供应商也藉由提供高容量产品价格诱因,以吸引客户,刺激旺季需求进一步成长,并放缓今年的扩产计画,试图力挽价格走跌态势延续至下半年。


然而,从需求面来看,DRAMeXchange 表示,第3 季虽属传统旺季,但来自智能型手机、笔记型电脑与平板电脑的需求,分别呈现0-1%、0-1% 及9-10%的季成长,动能相对平淡,供应商又试图降价刺激需求,导致价格跌幅大于先前预期。


展望第4 季,DRAMeXchang 指出,供给面新增产能不多,但供应商的64/72 层产品良率预期将趋近或超过80% 水准,达成熟状态,另一方面,供应商也准备新增或转移产能至96 层制程,带动位元产出持续成长。


至于需求面,在笔记型电脑成长疲软、智能型手机硬体规格缺乏亮点,及换机动能不足下,需求不如预期,价格恐持续走跌,预期跌幅将比第3 季更明显,但若苹果新机销售状况稳健,可望微幅减缓第4 季价格跌幅。


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