摩尔芯闻 > 行业新闻 > 半导体 > 全球晶圆代工企业的2019

全球晶圆代工企业的2019

半导体行业观察 ·2020-01-19 09:57·半导体行业观察
阅读:3925


本文不包括CIDM和 VIDM 项目。

一、工艺制程篇


1、中芯国际
2019年第一季度, 12nm 工艺开发进入客户导入阶段,第二代 FinFET N+1 研发取得突破,进度超过预期。

第二季度14纳米 FinFET 制程进入客户风险量产阶段, 2019 年第四季实现小批量生产。第二代 FinFET N+1 技术平台已开始进入客户导入。
2、华虹集团
2019 年,华虹集团坚持先进工艺和成熟工艺并举,构建集团核心竞争力。成熟工艺方面,65/55纳米射频和BCD平台全球依靠;而在先进工艺方面, 28 纳米(28LPC/28HK/28HKC+)成功量产; 28 纳米高介电常数金属栅级工艺(28nm HKC+)研发进展顺利; 22 纳米工艺发快速推进; 14 纳米工艺也取得突破,工艺全线贯通, SRAM 良率达25%。
3、华润微电子
华润微电子旗下代工平台华润上华在 BCD 工艺平台上,经过多年的积累,已开发出全系列分段式电压的0.18µm BCD工艺平台,配置efuse、 OTP MTP ,目前可提供6个电压段:7V-16V、18V-20V、24V-30V、35V-40V、40V-60V、80V-120V,并可提供BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件,以及针对不同工作电压的ESD保护方案。 据悉 90nm BCD 工艺已经进入研发阶段。
华润上华推出基于0.18μ m EN CMOS 的优化版 0.153 μ m 5V EN CMOS 工艺平台,优化后的工艺成本得到了大大的缩减,以 MCU 应用看,相较公司的 0.18 μ m 工艺节省成本约 30% ;以音频功放应用看,华润上华的 0.153 μ m 5V EN CMOS 工艺的成本已优于同行水平。
另外,华润上华的 0.11 μm ULL e-flash Logic 工艺达到业界水平。
4、台积电
4 月份推出6纳米(N6)制程技术,预计将在 2020 年实现量产,推出 6 纳米制程主要是为强化7纳米技术,提升效能/成本优势且加速产品上市时间。
7 纳米工艺 +EUV 2019 年第 3 季量产。
12 月, 5 纳米制程方面完成试产,工艺的良率达到35%-40%,意味着 5nm 工艺良率爬坡很顺利,2020年7月份正式进入大规模量产阶段。
5、联电
联电在2019年推出 28 纳米的微缩版 22 纳米 CMOS 工艺,相较联电的 28 纳米工艺上可减少约 10~15% 的面积。
联电位于厦门的子公司联芯推出适用于AMOLED屏幕驱动的 28 纳米 eHV 40 纳米 eHV 工艺 , 以及适用于银行卡 /ETC 卡的 55 纳米工艺( 55eNVM )。
6 、三星
2019 4 月份开始进行大规模生产7nm LPP EUV工艺;随后推出 6LPP 5LPE 芯片,目前已经完成试制, 2020 年上半年大规模生产。
7LPP 工艺终极版4LPE工艺 2019 年第四季度完成开发,在 2020 年完成首批芯片制造,大规模生产应该会在 2021 年。

二、产能扩张篇


1、中芯国际
1.1中芯南方(12英寸14纳米)
2019 年中芯南方集成电路制造有限公司12英寸14纳米生产线正式投产,标志着中国大陆集成电路生产工艺向前推进一步,顺利完成《推进纲要》的目标。。
2019 年第一季度,中芯南方 FinFET 工厂首台光刻机搬入,开始产能布建,已经具备月产能 3500 片规模。
2、华虹集团
2.1华虹无锡(12英寸)
2020年 1 1 日举行首批功率器件晶圆投片仪式,并和无锡新洁能签约。华虹无锡的 IC+Power 战略, Logic eFlash BCD SOI RF Power 等工艺平台陆续推出,可满足无锡绝大多数设计公司。
2019 年5月24日首台设备搬入,并举行了HHFAB7厂授牌仪式。2019年6月6日华虹无锡集成电路研发和制造基地12英寸生线一期3台光刻机台搬入; 2019 年9月 17 日试投片生产,标志着中国第一条 12 英寸90纳米/55纳米工艺的功率器件生产线投产。
华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩,总投资 100 亿美元,一期项目总投资约 25 亿美元,新建一条工艺等级 90-65/55 纳米、月产能约 4 万片的 12 英寸特色工艺集成电路生产线,支持 5G 和物联网等新兴领域的应用。
2.2华力二期( 12英寸)
自投产以来,上海华力集成电路制造有限公司(华力二期, HH FAB6 )的产能迅速爬坡,2019年第二季度达月产10000片,到第四季度装机产能达月产 20000 片。
上海华力集成电路制造有限公司(华力二期,HH FAB6) 12 英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目,总投资 387 亿元人民币,建成月产能 4 万片的 12 英寸集成电路芯片生产线,工艺覆盖 28-14 纳米技术节点。项目计划于 2022 年底达产。
3、武汉新芯
2019 年武汉新芯二期扩产项目已经顺利投产,若顺利达产,武汉新芯月产能将达到 5 万片。
二期将紧抓物联网和 5G 运用的市场机遇,建设NOR Flash(自主代码型)闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台,根据规划,武汉新芯的NOR Flash闪存能力每个月扩充8000片,从月产能1.2万片扩至月产能 2 万片,微控制器每个月扩充5000片。
4、台积电
2019年台积电总产能将微幅增加 2% ,扩增至 1200 万片约当 12 英寸晶圆。其中,以 7 纳米产能增加最多,总产能将超过 100 万片规模,将增加 1.5 倍。
4.1台积电南科FAB18
台积电南科 Fab 18 工厂一期已经完成建设, 5nm 工艺将于 2020 年7月量产,月产能达到 5.5 万片。
4.2 台积电南京 FAB16 (12英寸)
2019 年月产能提升为 15000 片,2020年第一季达到20000片的规划产能。
2018年 10 31 日,台积电正式对外宣布南京 12 英寸晶圆厂 FAB16 量产,提供 12 16nm FinFET 晶圆代工业务。
5、联电
5.1厦门联芯(12英寸)
2019 年联芯集成一期满载月产能约为 25000 万片,实际产出每月 18000+ 片,2020年将实施扩产。
6、合肥晶合(12英寸)
2019年底月产能达到 20000 片规模,较 2018 12 月扩增 1 倍。
2018 年,晶合以110纳米-180纳米工艺制造LCD驱动芯片。由于因为股权问题,和力晶陷入冷冻期,此后不再从力晶进行技转,而是自研 55 纳米工艺技术逻辑工艺,原计划 2019 年量产,目前看来较计划有所落后。
7、宁波中芯N1(8英寸)
2018 年11月2日正式投产,规划月产能 15000 万。
中芯集成电路(宁波)有限公司分为N1(租用小港安居路现有厂房)与 N2 (柴桥)两个项目,将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地,采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式,并提供相关产品设计服务平台。
8、中芯绍兴(8英寸)
2019 年6月19日,主体工程结顶;9月搬入工艺设备, 10 月完成了151台套设备的安装调试,2109年11月16日,中芯集成电路制造(绍兴)有限公司宣布8英寸生产线通线投片, 2020 年3月正式量产。
中芯绍兴主要面向微机电和功率器件集成电路领域,专注于晶圆和模组代工,持续投入研发并致力于产业化。
9、三星代工(12英寸7纳米EVU)
2019 年4月,三星华城 7nm EUV 工厂的基础设施建设工作完成;目前已经完成装机工作;预计将于2010年一季度量产。

三、产能建设篇


1、 济南泉芯 12英寸)
泉芯集成 12 英寸晶圆制造线于 2019 年第一季度开工建设。目前到位资金约50亿。
泉芯集成 12 英寸晶圆制造线计划采用 12nm/7nm 的工艺节点。
2、无锡海辰(8英寸)
2019 年12月12日,首批从韩国搬迁的工艺设备搬入海辰半导体厂房。
2019年 2 27 日,海辰半导体新建 8 英寸非存储晶圆厂主厂房正式封顶。
2018年 7 SK 海力士表示,旗下晶圆代工子公司 SK 海力士系统 IC 公司与无锡市政府旗下的无锡产业发展集团有限公司组成的合资公司, 2018 年下半年启动工厂的建设。
3、宁波中芯N2(8英寸)
2019 年2月28日,中芯宁波特种工艺N2项目正式开工。规划月产能 30000 万。
N2项目位于宁波市北仑区柴桥,项目用地面积 192 亩,建筑面积 20 万平方米,项目总投资 39.9 亿元,建设工期 2019 -2021 年, 2019 年计划投资 5 亿元。
根据规划,N2项目建成后将形成年产 33 万片 8 英寸特种工艺芯片产能,同期开发高压模拟、射频前端、特种半导体技术制造和设计服务。
4、赛莱克斯(8英寸)
2019 年12月25日,赛莱克斯北京 8 英寸项目一期开始设备搬入,较原计划有所迟缓。
2018 年赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司继续完善核心管理及人才团队,推进8英寸MEMS国际代工线建设项目的建设, 2018 年11月基础工程建设已部分封顶。项目规划分三期建设。
5、台积电
台积电大幅上调 2019 年的资本开支,从原定110亿美元增加到150亿美元,其中25亿美元用于5nm工艺扩产,15亿美元用于7nm工艺扩产。南科 Fab 18 工厂二期工程规划5.5万片晶圆/月的产能,预计在2021年上半年准备就绪。

四、收购篇


1、积塔正式合并上海先进半导体
2019年 1 2 日,积塔合并上海先进半导体得到国家市场监督总局批准; 1 11 日,上海先进半导体股东会和 H 股独立股东类别大会同意由积塔以吸收合并的方式将上海先进半导体私有化。
2019年 9 23 完成所有工商变更。
2、联电收购三重富士通
2019 年10月1日联电完成收购三重富士通半导体股份有限公司剩余 84.1% 的股权,收购剩余股份最终的交易总金额为544亿日元;2014年到2015年,联电分阶段逐步从和富士通半导体(FSL)手中取得三重富士通15.9%的股权。到此一桩历时5年的12英寸厂收购案终于落地,也是联电时隔7年再度在日本布局代工产线。
三重富士通成为联华电子完全独资的子公司后,将更名为United Semiconductor Japan Co., Ltd. USJC )。
三重富士通拥有两座12英寸厂房( B1 B2 ),分别于 2005 4 月和 2017 4 月投产, B1 厂采用 90nm 工艺; B2 厂初始采用 65nm 工艺,透过联华电子 40nm 技术的授权, 2016 年初开始 40nm 商用生产, 2016 年下半年 40nm 正式进入量产阶段;两个工厂合计月产能 35000 片。
3、世界先进收购格芯FAB3E
2019 年12月31日,世界先进( VIS )和格芯半导体(GLOBALFOUNDRIES)已经完成格芯半导体位于新加坡淡宾尼( Tampines )的8英寸晶圆厂Fab 3E的交割,包括厂房、厂务设施、机器设备以及 MEMS 智财权与业务。
Fab 3E 现有月产能约35000片8英寸晶圆,预计 2020 年将为世界先进带来超过15%的产能扩增。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第2194期内容,欢迎关注。

推荐阅读


美国是如何将华为拒之门外的

CMOS图像传感器厂商开辟新战场

2019年值得关注的11件半导体大事


半导体行业观察


半导体第一垂直媒体

实时 专业 原创 深度


识别二维码 ,回复下方关键词,阅读更多

FPGA TDDI |台积电 |华为 激光雷达 IBM|AMD|2019半导体盘点



回复 投稿 ,看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》

回复 搜索 ,还能轻松找到其他你感兴趣的文章!

分享到:
微信 新浪微博 QQ空间 LinkedIn

上一篇:​不甘心受制于日本,韩国半导体砸重金自救

下一篇:鹏: AMD挖来IBM高手,志在整合高性能CPU和GPU?

打开摩尔直播,更多新闻内容
半导体大咖直播分享高清观看
立即下载