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三星 3D NAND、DRAM 产出延宕,拖累设备商科林股价?

moneydj ·2018-06-08 11:08·TechNews
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半导体蚀刻机台制造商科林研发公司(Lam Research Corp.)受到市场谣传三星电子(Samsung Electronics)的 3D NAND 型快闪存储器、DRAM 产出延宕影响,股价跳空下挫,拖累美国费城半导体指数周四(6/7)走弱。

MarketWatch、barron’s.com 报导,向来看多的 Evercore ISI 分析师 C.J. Muse 7 日发布研究报告指出,渠道调查显示,科林 4~6 月、7~9 月这两季的出货量恐怕会低于预期,预料将骤减 30% 以上,似乎跟三星产出延宕有关。

不过,Muse 认为,三星的存储器芯片延后产出,主要是受到毛利率影响,因此这个现象应该仅是短暂的。另外,NAND 型快闪存储器的资本支出也有望在 2018 年第四季至 2019 年上半年间逐步复苏。

话虽如此,Muse 直指,虽然科林长期展望不变,短期内股价却可能受到压抑,直到该机构弄清出货量降幅究竟有多少为止。

Muse 并表示,他听说科林的状况比应用材料(Applied Materials Inc.)、晶圆检测设备制造商科磊(KLA-Tencor Corporation)还要糟。

科林 7 日应声下挫 5.4% 收 188.83 美元,创 4 月 30 日以来收盘低,在费半 30 支成分股中跌幅仅次于半导体测试控制仪器商 MKS Instruments, Inc. 的 7.33%。应用材料、科磊分别下跌 2.44%、1.28%。

费城半导体指数 7 日终场下跌 0.95%(13.6 点),收 1,424.34 点,结束连续 4 个交易日的涨势。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:科林)

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