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日媒:中芯国际买了一台EUV光刻机,2019年交付

半导体行业观察 ·2018-05-16 08:53·半导体行业观察
阅读:2008

来源:内容由公众号 半导体行业观察(ID:icbank)整理,谢谢。


日本新闻网站Nikkei Asian Review引述消息称,全球最大的芯片机器制造商、荷兰的阿斯麦(AMSL)证实,中国向荷兰订购一台最新型的使用EUV(极紫外线)技术的芯片制造机器光刻机,订货单位是中国的国企SMIC。这台机器价值1.2亿美元,与其去年净利润1.264亿美元大致相当。消息来源称,这一设备预计将于2019年年初交付。



EUV光刻机,7nm之后的救星

随着工艺的推进,传统的193nm浸没式光刻机器的瓶颈日益凸显,业界开始向EUV光源寻求帮助,这就推动了晶圆厂和光刻机供应商的EUV光刻机的进展,ASML作为全球唯一的EUV光刻机供应商,在数次延迟之后,终于在最近两年取得了进展。三星也在最新的7nm工艺上,使用了EUV光刻机。

所谓EUV,是指波长为13.5nm的光。相比于现在主流光刻机用的193nm光源,新的EUV光源能给硅片刻下更小的沟道,从而能实现在芯片上集成更多的晶体管,进而提高芯片性能,继续延续摩尔定律。不过在之前推进EUV光刻机的过程中,碰到各种各种各样的问题,EUV光刻机商用的时间也一拖再拖,业界在EUV的研发投入保守估计也超过了200亿美金,发光源功率是造成EUV光刻机迟迟不能商用的最主要原因。


在EUV光刻机工作过程中,需要电源将等离子体转换成13.5nm波长的光线,之后再经过镜子的几重反射,再打落到晶圆上。但是之前的电源并不能给EUV提供足够的功率,进而满足经济可行性。这就首先要了解对EUV光刻机的要求:


简单来说,引入EUV光刻机的工作目标,就是把原来传统光刻的双层pattering简化成一层EUV完成,进而降低光罩的层数,降低生产复杂度。而为了达到现有的传统光刻机250到270WPH的生产效率,那么来到EUV光刻机,那么至少需要125WPH的效率,才能达到COO(cost of ownership)和OEE(overall equipment efficiency),这就对光源提出250瓦的要求。但直到2012年,EUV光刻机的唯一供应商ASML只是实现了25瓦的光源


为了加速光源的发展,他们在2012年斥资25亿美元收购了世界领先的准分子激光源提供商Cymer。从全球领先的专利查询平台智慧芽上了解到, Cymer是一家专注于激光、X射线及深紫外光源的企业。收购Cymer,让ASML直接从源头上获得了其发展中至关重要的光刻机光源技术。进而加速了EUV光刻机的发展


中芯前进路上的必然选择

作为国内最先进的晶圆代工厂,中芯国际的制程工艺的落后一直被国内所诟病,但在引入了梁孟松之后,中芯国际的工艺有了突飞猛进的进展。在日前举办的2018年Q1法说会上,中芯国际联席CEO梁孟松透露,中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺。虽然这个工艺相对于三星、台积电、格芯和英特尔都稍显落后,但绝对是国产的一大突破。


在未来,中芯国际必然会继续往10nm之后的工艺探索,为此尽早引入EUV光刻机,并在上面做研究,是中芯国际必经之路。如果这次新闻真的熟识,对于国产晶圆厂的未来,我们可以抱有更乐观的信心。


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