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国产三大存储阵型下半年试产,2019为中国存储元年

technews ·2018-04-20 09:00·半导体行业观察
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全球记忆体市场需求持续不减,国际大厂纷纷投入扩产行动。包括龙头三星在NAND Flash 方面,宣布中国西安开始第2 期的建设工程,DRAM 上也有意在南韩平泽(Pyeongtaek)厂大幅生产。而另一家南韩大厂SK 海力士,除了生产NAND Flash 的M15 厂预期在2019 年正式营运之外,在DRAM 部分也斥资86 亿美元,将在中国无锡兴建第2 期厂房。


另外,专注在NAND Flash 产品的东芝,除了Fab 6 厂即将在2019 年营运外,还斥资70 亿美元用于兴建Fab7 厂,完成后将用于96 层堆叠的3D NAND Flash 生产。美光部分,日前除宣布将在新加坡设立NAND Flash 的第3 座工厂之外,在DRAM 产品方面,虽然无新扩建产能的计划,但是预计将在台湾以提高生产效率来拉高位元成长率的方式,提升产能。因此,面对各家国际记忆体大厂的来势汹汹,中国的记忆体厂投资也开始急起直追,预计也将在2019 年加入全球扩产战局。



据TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange) 指出,中国记忆体产业目前以投入NAND Flash 市场的长江存储、专注于行动式记忆体的合肥长鑫,以及致力于利基型记忆体晋华集成3 大阵营为主。以目前3 家厂商的进度来看,其试产时间预计将在2018 年下半年,随着3 大阵营的量产的时间可能皆落在2019 年上半年,揭示着2019 年将成为中国记忆体生产元年。


DRAMeXchange 表示,从3 大厂目前布局进度来看,合肥长鑫的厂房已于2017 年6 月封顶完工,并且于第3 季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同,试产时程将会落于2018 年第3 季,量产则暂定在2019 年的上半年,时程较预期落后。此外,由于合肥长鑫直攻三大DRAM 厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb,尔后面临专利争议的可能性也较高,为了避免此一状况,除了积极累积的专利权外,初期可能将锁定于中国销售


反观,专注于利基型记忆的晋华集成,在2016 年7 月宣布于福建省晋江市建12 吋厂,投资金额约53 亿美元,以目前进度来看,其利基型记忆体的试产延后至2018 年第3 季度,量产时程也将落在2019 年上半年。


此外,从中国厂商NAND Flash 的发展进程来看,2016 年12 月底,由长江存储主导的国家记忆体基地正式动土,官方预期分3 阶段,共建立3 座3D-NAND Flash 厂房。第一阶段厂房已于2017 年9 月完成兴建,预定2018 年第3 季开始移入机台,并于第4 季进行试产,初期投片不超过1万片,用于生产32 层3D-NAND Flash 产品,并预计于自家64 层技术成熟后,再视情况拟定第2、3期生产计划


DRAMeXchange 指出,观察中国记忆体厂商的研发与产出计划,2019 年将是中国记忆体产业的生产元年。但也由于2 家DRAM 厂预估初期量产规模并不大,短期难撼动全球市场现有格局。无论是DRAM 或是NAND Flash 产品,各家都是初试啼声,相较于耕耘多年的既有记忆体大厂所面临的挑战更多,因此亦不排除量产时间点也可能比原先预期延后。


长期来看,随着中国记忆体产品逐步成熟,预计2020 年到2021 年,2 家DRAM 厂商现有工厂将逐步满载,在最乐观的预估下,届时2 家厂商合计约有每月25 万片的投片规模,可能将开始影响全球DRAM 市场的供给。另一方面,长江存储计划设有的3 座厂房总产能可能高达每月30 万片,不排除长江存储完成64 层产品开发后,可能将进行大规模的投片,进而在未来3 到5年对NAND Flash 的供给产生重大影响。


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