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[原创] 25年深耕半导体创新,Soitec为中国“添砖加瓦”

半导体行业观察 ·2019-07-19 10:44·半导体行业观察
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近年来在新兴技术市场趋势和中国政策支持的双重利好推动下,中国半导体产业的发展达到了前所未有的高度。中国这一全球最大的SOI市场,将成为包括半导体在内的电子产业价值链的主要增长地区。再加上工智能、物联网、5G等新技术应用的蓬勃发展,对衬底的芯片设计需要开始广受欢迎。就像生产美酒需要有好的产地和土壤,半导体也需要出色的衬底。

“优化衬底”巨头法国Soitec在半导体创新领域深耕25年,Soitec愿携手中国业界建立强大的本土芯片生态系统,推动中国成为全球半导体行业的领袖。 借助中国(成都)电子信息博览会之际,Soitec RF-SOI高级业务发展经理Luis Andia博士、Soitec公司中国区销售总监陈文洪先生以及Soitec台湾及东南亚区域客户群经理江韵涵(Cherry Chiang)女士,接受了半导体行业观察记者的采访。着重探讨了Soitec在中国的市场布局以及战略规划。

从左到右边依次为: Soitec公司中国区销售总监陈文洪先生、Soitec RF-SOI高级业务发展经理Luis Andia博士、Soitec台湾及东南亚区域客户群经理江韵涵(Cherry Chiang)女士

深耕半导体创新25年,不止SOI

Soitec作为设计和生产创新性半导体材料的领导企业,于1991年推出Smart CutTM技术,1992年Soitec正式成立,1999年与2002年先后建立了贝宁I期工厂和贝宁II期工厂,2008年在新加坡建立生产300毫米晶圆的工厂,2014年与中国区生产合作伙伴生产200毫米晶圆,是优化衬底最大的制造商。

Soitec历史概览

 

Soitec表示,Soitec有3项核心技术和专业工程材料保障优化衬底,一个是最出名的Smart CutTM技术,这也是公司的主力技术;另一个是外延技术,目前Soitec已经将业务扩展到了氮化镓等化合物半导体材料;最后一个是智能堆叠技术,随着手机越来越复杂,元器件密度增加,智能堆叠是一个很好的选择。

 

Soitec受访人还讲述到,Soitec的全系列优化衬底SOI产品覆盖多个领域和应用模式,重点专注了四大终端市场,包括云及基础设施、智能手机、汽车和物联网:

Soitec全系列优化衬底覆盖多个领域和应用模式

  • FD SOI: 通过简单的模拟/射频整合,可灵活用于高性能和低功耗的数字运算,主要应用在智能手机、物联网、5G、汽车等对于高可靠性、高集成度、低功耗、低成本的应用领域。

  • RF SOI: 应用于射频前端模块,目前已经成为智能手机的开关和天线调谐器的最佳解决方案。

  • Power SOI: 致力于智能功率转换电路,主要应用于汽车、工业、家电消费类等高可靠性高性能场景。

  • 硅光SOI: 应用于数据中心、云计算等光通信领域。

  • 图像传感器SOI: 满足下一代图像传感器要求。

  • 滤波器POI: 用于滤波器的新型压电衬底。

  • 氮化镓: 用于射频5G和功率原件

近几年,正是由于FD-SOI衬底材料取得了突破性进展,特别是超薄BOX(20nm量级)及超薄顶硅(10nm量级)的衬底投入应用,使得纳米级FD-SOI CMOS迅速发展。Soitec是最早(2013年)实现FD-SOI衬底片成熟量产的公司,也是目前FD-SOI衬底的主要供应商,Soitec提供的FD-SOI技术目前在多家代工厂可以使用,并应用于多种不同的工艺节点。它提供了一个独特的平台,在能够集成多种功能的同时,保证移动设备基础设施的低能耗。FD-SOI能将5G收发器集成到该平台中,并同样达到低能耗。

多家企业基于FD-SOI技术做设计

不止SOI,Soitec还在发力新型材料GaN。Soitec为了增强其优化衬底产品组合氮化镓材料优势,在今年5月份收购了欧洲领先的氮化镓外延硅片材料供应商EpiGaN。收购EpiGaN进一步扩展并补充了Soitec的硅产品组合,为射频、5G和功率系统创造了新的工艺解决方案,为用户增效。鉴于GaN在功率晶体管设计中的应用,收购EpiGaN还将为Soitec现有的Power-SOI产品创造新的增长空间。

此外,Soitec也精心打磨了其Smart CutTM工艺。目前,它可被用于将一层薄薄的晶体材料从GaN或InP供体衬底转移到另一个衬底,以生产出具有成本效益的化合物半导体晶圆。

Soitec并未打算止步于氮化镓材料。据Soitec所称,长时间以来,Soitec也在持续关注碳化硅的商业机会。其实Soitec在2005年开始就一直有计划在研发,但是碳化硅的供应是一个巨大的挑战,但是通过Smart CutTM工艺,我们可以将碳化硅晶体切割为薄层,并将其转移到(受体)衬底上,从而产生更大的供给量。因此,Soitec十分重视碳化硅项目。

优化衬底助力中国智能化发展

据清华大学Deloitte指出,中国以超过美国240亿美元的成本投资于5G网络的基础建设上;在人工智能领域的投资中国占全球总额的近60%。而在5G方面,中国已经把5G作为国家战略,2017年3月,5G正式写入政府工作报告,要从3G跟随4G并行到5G时代实现全面引领。据中国软件行业协会数据显示,2030年的半导体产业目标设定为3,050亿美元的产出,以满足国内80%的需求量,到2020年,中国半导体行业增长率将达到20%。

中国是全球最大的无线通信市场,Soitec尤为看重中国的市场发展前景。逾十年以来,Soitec一直是中国半导体行业的坚定合作伙伴。

  • 自2007年Soitec与中国大学和研发机构建立合作关系伊始;

  • 2010年与代工厂开展合作;

  • 2014年,Soitec和中国领先的硅基材料半导体公司——上海新傲科技股份有限公司(Simgui)达成了有关射频和功率半导体市场200mm SOI晶圆的战略伙伴关系并签署了许可和技术转移协议;

  • 2015年首条200-mm RF-SOI生产线落成使用,截止到现在,新傲科技已生产20万片基于Smart Cut™技术的200-mm SOI晶圆片;

  • 2016年上海硅产业投资有限公司入资Soitec;

  • 2019年2月宣布加强合作关系,新傲科技将负责扩张SOI晶圆产量(年产量增加至36万片),确保高品质生产,Soitec则负责业务拓展、销售、研发和客户支持;

  • 截至目前,新傲科技的生产线已获得多个国内外主要客户的认可,Soitec与上海新傲科技股份有限公司一直保持着紧密的合作关系。

AI与5G 是下一个人类发展的核心,优化衬底对推动新技术的发展发挥关键作用。2018年Soitec成为首家加入TD-LTE全球发展倡议(GTI)的材料供应商。TD-LTE全球发展倡议是全球领先的合作平台,汇聚了主要移动网络运营商和芯片制造商,共同推广TD-LTE技术,助其发展成为全球5G标准。Soitec还积极与生态系统中的合作伙伴合作,探讨如何应用优化衬底达到5G网络要求的最佳射频性能(数据速率),同时最小化成本与功率消耗。除此之外,Soitec RF-SOI和FD-SOI产品广泛应用于sub-6GHz和毫米波解决方案,RF-SOI目前100%应用在智能手机的射频前端模块中,是天线开关、调谐器及低噪声放大器的行业标准,Soitec正在运用SOI技术推动设备与基站发展。

5G互联世界的优化衬底

中国移动5G联合创新中心是国际化联盟,致力于为中国开发5G通信解决方案。Soitec将为中国移动5G联合创新中心带来与无晶圆半导体公司、代工厂、系统级供应商、IDM(集成器件制造商)、研发/创新中心、大学和行业协会长期建立起来的全球合作网络。硅基和非硅基优化衬底对于5G移动通信在自动驾驶汽车、工业连接和虚拟现实(VR)等领域的大规模部署发挥着至关重要的作用。

现在是Soitec支持中国半导体的最佳时机

SOI的价值不仅体现于衬底层面,还体现于全球价值链中的设备、系统和终端应用层面。在之前,Soitec主要通过国际团队来支持中国市场,主要依靠代理商与合作伙伴建立联系。为了把Soitec的价值推广到中国客户以及中国客户的下游消费者,Soitec已经在中国上海设立了一支富有经验的全球销售及市场和业务拓展团队,陈文洪先生任Soitec公司中国区销售总监,无论是售前和售后、商业或者是技术支持,都将由新团队予以支持。它将进一步加强Soitec公司和中国市场的联系,也与全球价值链中的主要参与者展开广泛的联系。

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