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【抢单】联发科蔡力行与高通阿蒙双双赴大陆抢单

·2018-03-29 00:00·老杳吧
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1.联发科蔡力行与高通阿蒙双双赴大陆抢单
2.半导体传感器和MEMS国际标准化进展
3.当骁龙845遇上麒麟970,AI王者之争甚嚣尘上
4.外资看好P40将推动联发科今年大幅成长
5.GTC2018:Nvidia全面升级AI软硬件
6.5G时代,单个智能手机的射频前端芯片价值将继续上升
1.联发科蔡力行与高通阿蒙双双赴大陆抢单
日前业界传出,联发科执行长蔡力行和高通总裁阿蒙(Amon)近日不约而同前往中国深圳拜访全球第四大手机厂OPPO等大客户,蔡力行更向OPPO保证,联发科会全力满足OPPO芯片需求,请OPPO可以放心在新一代机种持续合作。
这是蔡力行出任联发科执行长之后,首度亲自拜访OPPO。OPPO近年快速崛起,已是联发科重量级客户之一,蔡力行亲自出马挂保证,凸显对OPPO订单势在必得的企图心。
对于相关传闻,联发科昨(28)日表示,不评论高阶主管行程,而且执行长若有拜会客户行程,也是日常工作的一部分。
业界人士透露,高通新任总裁阿蒙近两日亲至全球第四大手机品牌厂OPPO位于深圳的总部拜会,OPPO的大门口也放了欢迎阿蒙拜会的告示牌;巧合的是,蔡力行随后也飞抵深圳,同样为了拜会OPPO和Vivo两大手机品牌厂而去。
OPPO是这两年新窜出的中国手机品牌厂,前年出货量顺利超过8,000万支之后,去年正式攻上1亿支大关、达1.118亿支,居全球第四,是继三星、苹果、华为之后,第四家年出货量超过1亿支的手机厂。
供应链指出,对手机芯片厂来说,苹果、三星、华为等前三大厂的手机芯片自制率高,第三方供应商的空间被压缩,因此OPPO、小米、Vivo等三大客户反而才是最重要的客户,将是高通和联发科角力战的一级战区。
不过,小米因为当年是高通出资扶植的手机厂,与高通关系密切,手机芯片供应链认为,对联发科和高通来说,OPPO与Vivo会是最重要的目标客户,应该也是两大厂最高阶主管同时拜会的原因之一,为下半年新机和明年合作案全力卡位。
消息人士透露,蔡力行此行向OPPO保证,联发科会全力满足OPPO需求,请OPPO可以放心在新一代的R17机种上持续合作。
OPPO刚刚发表的今年旗舰机种R15上,同时使用联发科以台积电12纳米制程打造的曦力(Helio)P60处理器,以及由三星14纳米制程生产的高通骁龙(Snapdragon)660处理器两种版本,下一代机种PK赛将由联发科的P70对上高通骁龙670处理器。
时值中美贸易热战,高通与联发科均麻烦缠身
蔡力行和阿蒙传出近期同赴深圳,两人都是接任新职务以来,首度以新身分赴中国手机大本营深圳拜会客户。时值中美贸易热战的敏感时刻,蔡力行与阿蒙全力争取大客户订单,再次引起话题。
过去两年,联发科和高通都遭遇不少营运压力,前者一度因为产品蓝图规划失利,造成智能手机芯片产品市占率、毛利率和获利率同步下滑;后者则有来自各国反垄断审查、大客户苹果拒缴专利授权金和来自博通的敌意并购,风雨更多。
联发科和高通这两年同时进行组织改组和高阶人事异动。其中,联发科去年引进蔡力行加入团队,并于今年2月1日起升任执行长;2008年就到高通任职的阿蒙,也在今年1月4日接下总裁兵符。
对蔡力行和阿蒙来说,这趟深圳行都是坐上新职务以来,首度亲赴中陆手机供应链大本营-深圳拜访主力客户,别具意义。但在时机点上,却是过于巧合。
时值美中贸易战,两边求生存的台厂最易被波及,甚至被牺牲,之前外媒就曾经报导美国要求中国大陆扩大对美采购半导体,大陆近期也出现妥协的意向。
未来美中贸易谈判结果,也可能牵动高通和联发科在大陆的市占率变化,此时全球两大手机芯片厂掌门人同时出现在深圳手机客户总部,让外界有了更多想像空间。
2.半导体传感器和MEMS国际标准化进展
导读:目前,在MEMS领域,我国牵头制定的IEC 62047-25:2016已经发布,牵头制定的三项MEMS国际标准经过本次会议讨论将进入到CD阶段,未来我国应继续关注MEMS技术领域的设计、工艺、材料、产品性能测试等方面的标准化工作,引领产业发展。
作者:中国电子技术标准化研究院 李锟
去年,IEC TC47/SC47E (半导体分立器件标准化分技术委员会) 和IEC TC47/SC47F (MEMS标准化分技术委员会) 工作组会议及MEMS标准研讨会在日本东京召开。共有来自中国、日本、韩国的37位专家参加。中国代表团由中国电子技术标准化研究院、中电13所、航天704所、中机生产力促进中心、北京大学、西安电子科技大学等单位的12名代表组成,参加了此次全部会议。
IEC TC47/SC47E下设两个工作组:WG1 (半导体传感器工作组)、WG2 (微波器件工作组)。IEC TC47/SC47F下设三个工作组及一个标准维护组:WG1 (术语和定义工作组)、WG2 (MEMS材料和结构特性试验方法工作组)和WG3 (MEMS封装和器件工作组)、MT1 (标准维护组)。
1、18项国际标准取得重要进展
经过各工作组讨论和审核,IEC 60747-14-10《半导体器件第14-10部分:半导体传感器可穿戴葡萄糖传感器性能评价方法》和IEC 60747-14-11《半导体器件第14-11部分:半导体传感器用于测量紫外线、光线和温度的、基于声表面波的集成传感器测量方法》等18项国际标准得到重要推进,见表1。
其中我国牵头制定的三项标准即将进入到CD阶段:
(1) IEC 62047-32是航天704研究所和中国电子技术标准化研究院共同提出的MEMS器件性能测试方法标准,主要规定了MEMS谐振器振动非线性频率响应、强度及频率漂移的测试方法。MEMS谐振器振动非线性测试技术的发展始于20世纪80年代,经历了从实验测试到目前具有较完善理论支撑的振动非线性测试的发展过程,其趋势正从机械振动非线性向机械、电场、磁场等多物理场耦合振动非线性特性测试方向发展。在产业发展方面,以MEMS谐振器为核心器件的各种传感器、滤波器等已经大量应用于仪器仪表和工业自动化领域,具有广阔的发展前景。
(2) IEC 62047-33由北京大学提出,规定了MEMS压阻式压力敏感器件的术语和定义、试验条件和试验方法,适用于MEMS压阻式压力敏感器件的研制,生产和使用,对于规范器件的性能指标、可靠性等具有重要意义。
(3) IEC 62047-34由北京大学提出,规定了MEMS压阻式压力敏感器件晶圆级性能参数测试方法,具体性能参数包括电阻、常压输出、静态性能 (满量程输出、零点输出、非线性、迟滞、重复性、精确度、灵敏度、零点漂移)、温度性能 (热零点漂移、热灵敏度漂移、热零点滞后、热灵敏度滞后) 等,对每项参数的测试目的、测试步骤和数据处理方法等内容进行详细描述。
我国专家作为项目成员参与了IEC 60747-14-11、IEC 60747-18-3和IEC 62047-31三项国际标准的制定工作。IEC 60747-14-11规定了集成紫外线、光线和温度传感器、基于声表面波的传感器的工作原理、环境条件和测量方法,其中测量方法有直接模式和基于自振的微分放大器模式两种。IEC 60747-18-3规定了无透镜CMOS光子传感器阵列封装模块的流体的流动特性评估方法、测试环境等。IEC 62047-31基于断裂力学原理,用四点弯曲的方法测试MEMS分层材料的界面粘附能。
2、标准化新动向
此次会上,SC47E秘书处通报IEC新筹备成立了TC124 (可穿戴器件和技术标准化委员会),将由该技术委员会负责对IEC 60747-14-10开展后续工作。
同时,韩国代表提议SC47E成立新的标准工作组——生物半导体器件标准工作组,制定如生物FET和无透镜光子阵列传感器等医用方面的传感器技术标准。会后秘书处将以正式文件的形式征集各成员国对此提案的意见。
此外,秘书处通报了IEC/TC49 (频率控制、选择和探测用压电、介电与静电器件及相关材料标准化技术委员会) 对IEC 60747-14-11标准制定的意见。TC49认为该标准规定的是声表面波器件,应由TC49/WG13 (压电传感器工作组) 负 责。目前SC47E/WG1和TC49/WG13已成立联合项目组(PT60747-14-11),共同制定该标准。
可以看到当前科学技术不再依赖单一学科的发展 , 而是多学科或跨学科的技术交叉、融合的飞速发展,标准化领域也同样面临此问题。
3、MEMS标准化进展飞速
IEC TC47/SC47F是2008年成立的分技术委员会, 负责制定MEMS器件国际标准,是TC47下最活跃的分技术委员会,每年制修订标准数量超过5项,参与成员国有中、日、韩、德、美等主要MEMS设计、生产和制造强国。目前其下设有三个工作组,分别为WG1研究制定MEMS术语、总则等通用基础标准 ;WG2研究制定MEMS工艺标准、测试方法等标准 ;WG3研究制定器件产品规范和封装标准。该分技术委员会已发布了26项国际标准,涵盖了MEMS总则、大量的MEMS材料性能评估测试方法标准(如MEMS薄膜应力测试方法) 和4项产品规范 (如MEMS陀螺仪规范)。
此次会议,秘书处特别指出IEC 62047-1和IEC 62047-4两项标准由于MEMS技术和产业的飞速发展,各成员国需要考虑增加新的技术内容以满足行业需求,会后将以文件的形式征求各成员国意见。
此外,从2007年起,在工作组会议召开之际,中、日、韩三国轮流主办MEMS 标准技术研讨会。去年也不例外,同期召开的MEMS标准技术研讨会共有4篇报告 :张大成 (北京大学,中国)——《用于测试微组装结构的机械性能的在线平台》;Takahiro ONAKADO( 微机电中心,日本)——《关于智能传感器及其接口的标准化》;Kazuki TAKASHIMA(熊本大学,日本)——《用扫描白光干涉法测量微米结构的应力和应力分布》,Kim KWANG-SEOP (机械和材料研究所,韩国)——《薄膜粘合强度的评价》。各国专家就MEMS领域中微米结构应变、微机械结构力学性能测试、智能传感器等热点技术进行了交流,介绍了微机械结构力学性能测试可采用的现场测试技术和片上系统;采用扫描白光干涉法测量微米结构的应力变化;智能传感器及其接口的标准化工作设想等。
4、我国应重点关注的标准化工作
MEMS传感器是目前市场应用较为成熟的MEMS器件,其中MEMS惯性传感器、MEMS麦克风几乎已成为新型设备的标配,MEMS温湿度传感器、MEMS压力传感器等在移动终端尤其是可穿戴设备上的应用近年来也迅速增长。
由于近年来硬件创新市场逐渐转移国内,中国市场对于MEMS传感器的需求增速远高于全球MEMS市场。MEMS传感器当前主要应用领域集中在消费电子、汽车电子等领域,随着产品的不断成熟,航空航天、医疗电子、工业控制等领域的应用也逐渐普及。
目前,在MEMS领域,我国牵头制定的IEC 62047-25:2016已经发布,牵头制定的三项MEMS国际标准经过本次会议讨论将进入到CD阶段,未来我国应继续关注MEMS技术领域的设计、工艺、材料、产品性能测试等方面的标准化工作,引领产业发展。MEMS
3.当骁龙845遇上麒麟970,AI王者之争甚嚣尘上
处理器作为一部手机最重要的组件,它的整体性能如何将决定一个产品的体验,以及它所在的层次。就目前的安卓阵营而言,华为麒麟 970 芯片和高通骁龙 845 芯片是目前当之无愧的旗舰芯片,可以说单以基础性能而论,两者代表着当今手机芯片的最强性能。但武无第二,究竟谁更强呢?今天我们就通过另一个重要的一部分——AI,来分个高下。
通过鲁大师的AI专项测试,可以明显看出搭载麒麟 970 芯片的华为Mate10 的分数要远高于搭载高通骁龙 845 的三星S9/S9+。结果显而易见,麒麟 970 的AI性能要明显优于骁龙845,但这又是怎样做到的呢?
作为旗舰芯片的华为麒麟 970 首次在手机芯片中集成了专门为AI计算打造的NPU,并采用了HiAI移动计算架构,其AI性能密度大幅优于CPU和GPU。在处理同样的AI应用任务时,麒麟 970 新的异构计算架构拥有大约 50 倍能效和 25 倍性能优势。这意味着,麒麟 970 芯片可以用更高的能效比完成AI计算任务。例如在图像识别速度上,可达到约 2000 张/分钟。
反观高通骁龙845,虽然也做到了端侧的AI,但只能通过NPE(Neural Processing Engine)来调度当先SOC中已有的CPU、GPU和DSP资源来实现AI性能。这些已有芯片并非是专门为AI计算设计,所以效率就会很低。让CPU/GUP/DSP来兼职做AI,无论如何都不可能是达到主业就是做AI运算的NPU的水准的。这也是骁龙 845 与麒麟 970 的AI性能相差悬殊的关键原因。
而且这样类似于替代方案的办法,还存在运算资源不够分配的问题。试想,手机已经处于高负荷运算当中,再附加一份AI的运算需求,只会让整体性能受到掣肘,导致整体性能有限。
当然有了AI实力,还有要能施展这份实力的使用场景。在这方面麒麟 970 早于骁龙 845 半年多就已经开始布局,开放端口给开发者来匹配调用麒麟 970 的AI接口,目前麒麟 970 的AI慧眼拍照、AI语音、AI随行翻译已经能够在手机上体验到,而且还在进一步增长中。同时又有着自有手机品牌的优势,对于AI性能的运用也将更加灵活。
通过开放合作,已经有不少开发商都已加入华为开发者联盟,为麒麟AI芯片的应用提供源源不断的有生力量。同时华为更是和百度达成了全面的战略合作,双方将会在互联网服务、内容生态、AI平台技术等多方面展开深度的合作,共同推动AI生态的发展进步。
而骁龙 845 在解决AI从云侧到端侧这个高技术门槛的难题就已经晚了麒麟 970 半年多,又没有自己品牌下的手机产品,不仅时间上的弱势难以弥补,而且未来在AI应用上的差距只会越拉越大。
AI,这股颠覆一切的力量正在席卷世界,无数行业将为之改变,智能手机行业更是将会第一线。可以料定,此后手机产品间的差距高低将有很大一部分由AI技术实力来定义,而从现在看来,麒麟 970 不仅做到了当前AI实力最强的手机旗舰芯片,在技术创新和行业资源整合华为已经也走在了前列。
4.外资看好P40将推动联发科今年大幅成长
联发科发表P60芯片,可望提升大陆市占,加上近期美中贸易战,联发科在美、陆曝险皆有限,受冲击不高,外资圈包括摩根大通、德意志、美林证券等,持续看好联发科营运。
联发科去年下半年以来,率先获摩根士丹利青睐,其后美林、德意志、摩根大通、花旗等外资券商也发表正向展望,目前最乐观是德意志,目标价上看520元,美林、摩根大通也给予418元、415元,其中摩根大通并将联发科列为今年半导体股首选。
摩根大通证券科技产业研究部主管哈戈谷(Gokul Hariharan)表示,大陆智能手机近期出货疲弱,不过第2季起,联发科12纳米芯片P40可望大幅成长,推升毛利率,同时P60芯片性能优异,有望推动联发科持续取得大陆手机品牌订单,今年将是基本面转机年。
哈戈谷最新出具中美贸易战分析并指出,美国若对中国课征高关税,亚洲科技股首当其冲,特别是苹概股对美曝险大,在所有产业受害最深。但联发科供应链不论在陆美曝险皆有限,一旦贸易战开打,有望瓜分高通和苹果在陆市占,取得更有利地位,因此列为贸易战首要买进标的。经济日报
5.GTC2018:Nvidia全面升级AI软硬件
英伟达(Nvidia)在其年度GPU技术大会(GTC 2018)发表多项系统级升级功能,以提升其绘图处理器(GPU)在人工智慧(AI)神经网路训练方面的性能,并与ARM合作将其技术扩展到推论领域。
针对可能会在2019年或之后推出的7nm GPU,Nvidia并未提供详细的开发蓝图。不过,由于其他竞争对手——如AMD才刚进入这个领域、英特尔(Intel)预计要到明年后才会推出Nervana加速器,而新创公司Graphcore至今仍不动声色,这让Nvidia还有时间慢慢琢磨。就在几个月前,英特尔和Graphcore都计划在今年发布量产芯片。
Nvidia的高阶Tesla V100 GPU现可提供32GB HBM2 DRAM,较去年5月发布时支援更高2倍的记忆体容量。此外,该公司还宣布推出采用台积电(TSMC) 12nm FinFET制程制造的100W芯片——NVSwitch,支援18个NVLink 2.0埠,可链接16个GPU至共享记忆体。
Nvidia率先打造出可支援10kW功率与高达2 petaflops性能的强大AI训练系统。其DGX-2在10U机箱中封装了12组NVSwitch芯片和16组GPU,足以支援两个Intel Xeon主机、Infiniband或乙太网路(Ethernet)以及多达60个固态硬碟(SSD)。
Cray、慧与科技(Hewlett Packard Enterprise;HPE)、IBM、联想(Lenovo)、美超微(Supermicro)和泰安电脑(Tyan)等公司都已宣布将在今年6月前开始出货搭载这款32GB芯片的系统。甲骨文(Oracle)则计划今年底在云端服务中搭载该芯片。
Nvidia透过广泛地升级记忆体、互连与软件最佳化,以提高AI性能。Nvidia表示,它在两天内完成FAIRSeq翻译模型的训练,较去年9月时采用8组GPU与16GB记忆体的测试提高了8倍。此外,SAP则指采用ResNet-152模型,使其于影像辨识方面取得10%的进展。
为了超越Nvidia,英特尔计划在明年量产支援12组100Gbit/s链路的Nervana芯片,而Nvidia Volta则支援6个25Gbit/s NVLinks。Nervana芯片支援非同相记忆体,可在打造加速器丛集(包括环状网路)时提供更大的灵活性,但在编程时将会更加困难。
为了简化编码作业,英特尔宣布开放其Ngraph编译器,目的在于来自第三方AI架构(如Google TensorFlow)的软件转变为可在英特尔Xeon、Nervana及其FPGA芯片上执行的程式码。
英特尔和几家资料中心合作伙伴正针对执行于加速器原型上的程式码进行微调。该公司计划在5月下旬的开发者大会上发布其计划细节,但预计要到明年之后才会量产芯片。届时,Nvidia将英特尔计划升级加速器开发蓝图的压力,而必须尽快推出下一代芯片。
Tirias Research资深分析师Kevin Krewell说 :“目前的Nervana产品将成为一款真正的软件开发工具。它是在英特尔收购该公司之前,以28nm制程技术打造的,因而不至于与Nvidia 12nm Volta设计相互竞争。”
他补充说,为Volta升级记忆体和NVSwitch,“让Nvidia得以在竞争中保持领先。我们都期待采用更先进的下一代制程技术,但是,就量产出货的芯片而言,Volta目前还没有竞争对手。”
至于几家新创公司,Wave Computing预计今年推出首款针对资料中心和开发人员打造的训练系统。这一市场还有新的业者持续出现中。例如新创公司SambaNova Systems在获得5,600万美元的投资后首度在上周登场,其投资方包括Google的母公司Alphabet。SambaNova Systems的共同创办人Kunle Olukotun之前还成立了新创公司Afara Websystems,并打造了Niagara伺服器处理器,后来被升阳公司(Sun Microsystems)收购,而Oracle后来并购了升阳。
Nvidia DGX-2将自第三季开始销售
联手ARM加速深度学习推论计划
Nvidia目前在资料中心的神经网路模型训练方面占主导地位,但在网路边缘的更广泛推论领域仍是个新手。为了加强其市场地位,Nvidia和ARM展开合作,将Nvidia的开放来源硬件导入推论作业,成为ARM机器学习产品计划的一部份。
Nvidia去年宣布将开放其Xavier推论加速器IP,至今已发布了多个RTL版本了。这些IP目前正面对来自益华(Cadence)、Ceva和新思科技(Synopsys)等公司的AI加速器竞争。至于ARM将选择哪一款Nvidia IP目前仍不清楚。ARM至今只是草拟了将AI芯片作为其广泛Project Trillium的一部份。ARM目前仅透露计划将其新兴神经网路软件移植到Nvidia IP上。
Nvidia负责Xavier的移动事业部门副总裁总经理Deepu Talla表示,他注意到业界开始使用免费的模组化IP设计多种芯片。然而,迄今为止还没有人发布相关资讯
Nvidia希望在推论方面的努力能够扩展到使用其机器学习软件,该软件同时也用于训练AI模型。为此,该公司发布了几项更新其程式码的计划,并将其整合至第三方AI架构中。
此外,Nvidia最新的TensorRT 4 Runtime软件也增强对于推论作业的支持,并整合于1.7版Google TensorFlow架构中。Nvidia还将该Runtime软件与Kaldi语音架构、Windows ML和Matlab等整合在一起。
该公司并宣布,上周推出的RTX光影追踪软件采用V100 Quadro GV100芯片,支援32GB记忆体和两组NVLink。
该软件可为游戏、影片和设计模型提供更快速、更逼真的渲染,执行于Nvidia专有的API以及微软(Microsoft)用于光线追踪的DirectX,未来还将支援Vulkan。
Nvidia专业视觉化部门副总裁Bob Pette表示,相较于基于CPU的渲染,该软件进一步提升了10倍到100倍;他并预计这一市场将在2020年达到超过20亿美元的规模。eettaiwan
Nvidia执行长黄仁勋认为,GPU在AI效能方面已发展出超越摩尔定律以外的新方向(来源:Nvidia)
编译:Susan Hong
(参考原文:Nvidia Taps Memory, Switch for AI,by Rick Merritt)
6.5G时代,单个智能手机的射频前端芯片价值将继续上升
众所周知,射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分,追求低功耗、高性能、低成本是其技术升级的主要驱动力,也是芯片设计研发的主要方向。
射频前端芯片包括射频开关、射频低噪声放大器、射频功率放大器、双工器、射频滤波器等芯片。
其中,射频开关用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段间的切换;射频低噪声放大器用于实现接收通道的射频信号放大;射频功率放大器用于实现发射通道的射频信号放大;射频滤波器用于保留特定频段内的信号,而将特定频段外的信号滤除;双工器用于将发射和接收信号的隔离,保证接收和发射在共用同一天线的情况下能正常工作。
根据 QYR Electronics Research Center 的统计,从 2010 年至 2016 年全球射频前端市场规模以每年约 12% 的速度增长,2016 年达 114.88 亿美元,未来将以 12% 以上的增长率持续高速增长,2020 年接近 190 亿美元。
在过去的十年间,通信行业经历了从 2G(GSM/CDMA/Edge)到 3G(WCDMA/CDMA2000/TD-SCDMA),再到 4G(FDD-LTE/TD-LTE)两次重大产业升级。为了提高智能手机对不同通信制式兼容的能力,4G 方案的射频前端芯片数量相比 2G 方案和 3G 方案有了明显的增长,单个智能手机中射频前端芯片的整体价值也不断提高。
根据 Yole Development 的统计,2G 制式智能手机中射频前端芯片的价值为 0.9 美元,3G 制式智能手机中大幅上升到 3.4 美元,支持区域性 4G 制式的智能手机中射频前端芯片的价值已经达到 6.15 美元,高端 LTE 智能手机中为 15.30 美元,是 2G 制式智能手机中射频前端芯片的 17 倍。因此,在 4G 制式智能手机不断渗透的背景下,射频前端芯片行业的市场规模将持续快速增长。
随着 5G 商业化的逐步临近,现在已经形成的初步共识认为,5G 标准下现有的移动通信、物联网通信标准将进行统一,因此未来在统一标准下射频前端芯片产品的应用领域会被进一步放大。同时,5G 下单个智能手机的射频前端芯片价值亦将继续上升。
现阶段,全球射频前端芯片市场主要被欧美传统大厂占据,而 Qorvo 更是其中的佼佼者。作为全球领先的创新 RF 解决方案提供商,一直以来,Qorvo 致力于为智能手机、基础设施和航天国防领域提供核心技术及射频解决方案。
目前,Qorvo 也在全力支持 5G 技术的发展,在 5G 射频前端市场更是积累了许多核心技术。去年,Qorvo 发布了业界首个 Sub-6 GHz 5G 射频前端模块 QM19000,高度集成的高性能 QM19000 可实现高线性度、超低延迟和极高吞吐量,以满足或超越未来 5G 应用的开发需求。
在刚刚结束的 2018 世界移动通信大会(MWC)上,Qorvo 的 5G RF 前端 (RFFE) 荣获了 GTI 2018 年“移动技术创新突破奖”。同时,在英国伦敦举行的第 20 届 GTI 研讨会上,Qorvo 和 NI 合作测试了首款市

文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/10/n-667510.html

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