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DDR内存就快死了?

太平洋电脑网 ·2018-03-21 08:16·半导体行业观察
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来源:内容来自「太平洋电脑网」,谢谢。


这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上,紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破,小批量生产了DDR3内存,下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片,正在努力追赶国际主流水平。但是放眼整个内存市场,DDR5内存很快就要来了,更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰,业界已经有人提出了DDR内存将死的看法,未来需要高带宽的产品将转向HBM内存,2020年会有HBM 3内存,2024年则会有HBM 4内存,届时带宽可达8TB/s,单插槽容量可达512GB。


对于HBM内存,DIY玩家可以说也是相当熟悉了,AMD在2015年的Fury系列显卡上首次商用第一代HBM技术,超高的带宽、超低的面积占用彻底改变了当时的显卡设计,随后NVIDIA在Tesla P100上商用了HBM 2技术,不过消费级市场上使用HBM 2技术还是AMD去年的RX Vega显卡,但是因为HBM 2显存的成本太过昂贵,RX Vega上实际上使用了两组4GB HBM 2,等效位宽比第一代减少一半,尽管频率大幅提升,所以实际带宽反而低了一些。

见识过HBM的玩家对该技术肯定印象深刻,那么未来它又该如何发展呢?HPE(惠普企业级)公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些观点,在他看来DDR内存要走到尽头了(DDR is Over),特别是一些需求高带宽的场合中。


根据他分享的一些数据,HBM 2内存将在2018年大量应用,HBM 3将在2020年左右应用,改进版的HBM 3+技术在2022年应用,2024年则会有HBM 4内存,带宽及容量也会逐级增长,比如现在的HBM 2内存,核心容量可达8Gb,通过TSV技术可以实现每个CPU支持64GB HBM2内存,每路插槽的带宽可达2TB/s,而到了HBM 4时代,每个CPU支持的容量可达512GB,带宽超过8TB/s。作为对比的话,目前AMD的EPYC处理器支持8通道DDR4内存,虽然最高容量能达到2TB,但是带宽不过150GB/s左右,与HBM内存相比就差远了。

按照他的观点,在一些需要高带宽的场合中,HBM技术无疑远胜DDR内存,所以他说的DDR内存将死在这方面是成立的,比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM。不过话说回来,DDR将死这个判断并不适合桌面市场,HBM技术虽然各种好,但是现在来看成本问题一时半会都没法解决,目前能生产HBM内存的厂商只有三星、SK Hynix,美光因为有HMC技术,对HBM并不怎么热心,所以HBM降低成本的过程将是漫长的,对桌面级玩家来说DDR4很长一段时间内都不会过时,2020年左右会开始推DDR5内存,所以三五年内我们是看不到DDR内存被HBM干掉的可能的。


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