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DRAM开始进入EUV时代?

半导体行业观察 ·2019-06-20 11:26·半导体行业观察
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根据国外媒体报导,曾表示目前制程技术还用不上EUV技术的各大DRAM厂在目前DRAM价格直直落,短期看不到止跌讯号的情况下,也顶不住生产成本的压力,开始考量导入EUV技术,以降低生产成本。南韩三星将在2019 年底前正式导入。

报导指出,为了应付半导体制程微缩,因此有了EUV设备与技术。使用EUV 技术后,除了同样制程的情况下,可将电晶体密度提升,同频率下功耗降低,且因为制程微缩,使得单位位元数产出增加,降低光罩用量,如此就可降低成本。不过EUV设备昂贵,过去DRAM价格居高不下的时期,各家DRAM厂商扩大产能都来不及,暂时不考虑目前制程导入EUV技术。但市况大不如前,导致想法改变。

 

根据市场研究调查单位DRAMeXchange的研究资料显示,当前DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌的情况持续。对此,DRAM厂虽然尽量减产,但仍然无法让价格明显止跌。因此,唯一能维持获利的方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过,DRAM制程向1z 纳米或1α 纳米制程推进的难度愈来愈高,随着EUV量产技术获得突破,将可有效降低DRAM的生产成本。

报导指出,基于以上的原因,南韩三星预期在2019年11月开始量产采用EUV 技术的1z 纳米DRAM,量产初期将与三星晶圆代工共用EUV设备,初期使用量虽不大,但却等于宣示DRAM微影技术会开始向EUV的方向发展。至于,SK海力士及美光也已经表明,现阶段开始评估导入EUV技术的需求。对此,业界预期将,可能在1α 纳米或1β 纳米世代开始真正导入。

报导进一步表示,三星的1z 纳米属于第三代10纳米级的制程,10纳米级的制程并不是10纳米制程,而是由于20纳米制程节点之后的DRAM制程升级变得困难,所以DRAM记忆体制程的线宽指标不再那么精确,于是有了1x 纳米、1y 纳米及1z 纳米等制程节点之分。简单来说,1x 纳米制程相当于16 到19 纳米,1y 纳米制程相当于14到16纳米,1z 纳米制程则是大概为12到14纳米制程的等级,而在这之后还有1α 及1β 纳米制程节点。

由于,先进制程采用EUV微影技术已是趋势,在台积电2019第2季量产内含EUV技术的7纳米加强版制程,并且获得客户订单之后,竞争对手三星的晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程,英特尔则是预期2021年量产的7纳米制程将会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米节点之后,预期对EUV的需求也会越来越大,届时EUV设备已将成为半导体军备竞赛中不可或缺的要项。

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