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贸易战升温敏感时刻,中国龙头内存厂高调秀技术的盘算

财讯 ·2019-06-11 21:33·中国半导体行业协会
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美国总统特朗普5月初才宣布与中国协商破局,不仅针对中国部分输美商品提高关税至25%,后又对华为展开制裁行动,引发全球主要厂商跟风,市场充满肃杀气氛;就在5月15日,第7届全球半导体联盟内存论坛(GSAMemory+Conference)在中国上海浦东文华东方酒店举行,在这个非常时机点,论坛上的一举一动都显得格外敏感。 两年一度的全球内存论坛,每年都会邀请与吸引重量级内存厂商共襄盛举,今年包括三星、美光(Micron)、东芝、应用材料(AppliedMaterials)、威腾电子(WesternDigital)、瑞萨(Renesas)、群联、长江存储、合肥长鑫等都是演讲或与会嘉宾。《财讯》也前往上海参与这场盛会,直击在中美贸易战急遽升温的氛围中,中国内存产业的微妙变化。 今年最大亮点,是中国最大储存型闪存(NANDFlash)厂商长江存储,与最大动态随机存取内存(DRAM)厂商合肥长鑫存储首次出席该场合,并对外揭橥技术来源与量产进度。尤其,美中贸易战正打得火热,在业界向来行事相当低调的长江存储与合肥长鑫,这次如此反常的高调举动透露出许多市场信息。 两大产业龙头反常亮相三大变化透露中国实力 全球半导体联盟内存论坛是国际性的盛会,过去曾在美国、日本、中国台湾及中国大陆轮流举行,但继2年前在中国大陆举办后,今年是连续第二次移师中国上海举办。全球半导体联盟(GSA)指出,这是因为中国大陆对内存产线的投资较高,以及云端计算和行动运算系统用户的快速增长,再加上在中国大陆有较多的新进者和新技术转型的厂商,因此决定移师中国大陆。 今年,长江存储执行董事长高启全、合肥长鑫存储董事长暨执行长朱一明,都首次受邀担任全球半导体联盟内存论坛会议咨询委员会(ConferenceAdvisoryCommittee)成员;同时,长江存储共同技术长汤强、朱一明也第一次受邀成为演讲嘉宾,「这代表国际已经认同大陆内存厂商的地位与重要性!」一位大陆内存厂商高层解读。 变化1》急起直追国际地位与能见度大增 过去,无论是长江存储、合肥长鑫存储或福建晋华,身为内存产业的后进者,再加上全球主要的核心技术专利都已掌握在三星、SK海力士、美光、东芝、威腾电子、英特尔等南韩、日本、美国大厂手中,因此最被外界用放大镜解读的就是技术来源的合法性,知识产权一直是巨大的争议,更是美中贸易战的攻防重点。 尤其,2018年11月1日,美国司法部正式起诉中国国营DRAM厂商──福建晋华集成电路公司、联电,还有福建晋华总裁陈正坤、何建亭及王永明3名台湾人,指控他们涉嫌共谋窃取美光估值高达87.5亿美元的商业机密;美国商务部也以基于国家安全和经济考虑,将福建晋华列入出口管制实体名单,禁止美国企业对该公司出售技术或产品,这让中国内存产业一度风声鹤唳。 ▲长江存储共同技术长汤强,首次公开将于8月推出新一代3DNANDFlash技术架构Xtacking2.0技术。 变化2》抢先消毒拉高分贝公布技术来源 但朱一明这次在论坛中,首次高调对外公布合肥长鑫存储DRAM技术,是来自于已破产的德国DRAM厂奇梦达(Qimonda),以及倒闭并被美光收购的日本DRAM公司尔必达(ElpldaMemory)前员工。「长鑫存储通过与奇梦达合作,取得1,000多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB(兆字节)数据,这是公司最初的技术来源之一。」朱一明强调,除了技术来源之外,再透过自主研发,至今长鑫存储已经拥有16,000项专利申请,以及累计投产超过15,000片的晶圆。 据了解,2017年5月,合肥长鑫存储宣布投资72亿美元,建设3期工程,目前是第1期工程兴建12吋晶圆厂,月产能可达12.5万片晶圆。据悉,合肥长鑫存储也将于今年第4季,正式量产8GBLPDDR4规格的DRAM芯片。 此外,朱一明还罕见地大方公开供应链合作伙伴,包括艾司摩尔(ASML)、科磊(KLA-Tencor)、泛林集团(LamResearch)、东京威力科创(TEL)、应用材料等国际半导体设备与测试仪器大厂,颇有凸显具备量产技术能量和技术正当性的意味。 这次朱一明一改往常的低调作风,如此「高调演出」,也不免让外界联想就是为了避免沦为下一个「福建晋华」的防堵措施。朱一明还在演讲最后提到,「公平竞争、透明、伦理及承诺是关键的成功要素,开放全球伙伴关系与投资是必要的」。 同样备受瞩目的,长江存储共同技术长汤强也在演讲中宣布,将在今年8月正式推出新一代3DNANDFlash技术架构Xtacking2.0技术。 变化3》力拚地位加快研发与量产进程 2013年,长江存储先后从IBM、中国科学院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所取得超过1,500项专利授权;2015年又与美国NORFlash大厂飞索半导体(Spansion)技术合作,开发3DNANDFlash,并针对3DNANDFlash研发出Xtacking技术架构,号称可以加快I/O(输入/输出)接口速度、提高储存容量及缩短上市时程。 他也透露,「今年即将推出的新一代Xtacking2.0技术,届时有望将长江存储的3DNANDFlash提升到一个新高度」。让外界对于Xtacking2.0技术有高度期待,同时也观察出中国内存厂正在加快研发与量产进程。从2017年推出Xtacking技术架构后,短短2年的时间内,长江存储又再推出新一代技术架构Xtacking2.0。 随着长江存储与合肥长鑫存储产品量产在即,外界也在高度关注2020年后,将对于全球NANDFlash与DRAM产业所带来的冲击。对此群联董事长潘健成观察,「(中国NANDFlash龙头)长江存储是很有实力的公司!」经过3年的技术累积,已经可以开始投产,未来在产业也将会有一席之地。

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