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三星确认兴建平泽新工厂 投资30万亿韩元生产DARM及NAND Flash

·2018-03-04 00:00·老杳吧
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根据韩国媒体的报导,韩国存储器大厂三星已经确认,将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂,用于扩大 DRAM、NAND Flash 快闪存储器的产能。之前,韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平泽市官员说法报导指出,三星电子将召开管理委员会议,决定是否兴建第 2 座芯片厂,并于农历新年后宣布决定。报导指出,总投资额可能约为 30 万亿韩元(约 27.6 亿美元)。
而根据《FN News》的进一步报导,目前三星已经在韩国平泽市有了一座大型工厂,这座工厂从 2017 年开始在进行 64 层堆叠 NAND Flash 快闪存储器颗粒的生产工作。而新工厂暂时名为 P2 Project,就在距离旧工厂不远处。目前该新工厂的投资额达 30 万亿韩元(约 27.6 亿美元),不过暂时不清楚是初步投资金额还是总投资金额。至于会采独资或者是合资的方式来兴建,三星目前也没有透露更多的消息。
报导进一步指出,现在这座新工厂已经开始建设,而且管道铺设工程也已经接近尾声。未来,新工厂完成兴建之后,将会拥有同时生产 DRAM、NAND Flash 快闪存储器的能力。但是目前三星并没有对外披露具体的生产计划。外界预估,届时 DRAM、NAND Flash 快闪存储器的生产应该会各占产能的一半,而且三星会根据市场的需要进行动态调整,以此来决定 DRAM 或 NAND Flash 快闪存储器的产能高低。
根据规划,三星的这一座新工厂将会在 2019 年年底完工。因为,设备采购和人员的到位也还需要一段时间。因此,三星最迟也要在 2018 年年底决定是生产 DRAM、NAND Flash 快闪存储器的比例。市场人士认为,目前 NAND Flash 快闪存储器的缺口不是很大,原有的工厂产能也没有达到满载情况,但是 DRAM 市场目前却处于供不应求的状态,所以新工厂应该会以 DRAM 为主。这样的话,只要新工厂完成后投入生产,DRAM 的产能就会得到进一步的提升,纾解当前 DRAM 不足的问题。

文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/95/n-664695.html

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