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【涨价】旺诠宣布暂停接单,厚膜电阻价格或再次拉高;

·2018-02-23 00:00·老杳吧
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1.旺诠宣布暂停接单,厚膜电阻价格或再次拉高;
2.英特尔在以色列投资50亿美元,升级当地fab至10nm工艺
3.外资:硅晶圆Q1价格季增10% 部分厂商达双位数以上;
4.8英寸晶圆代工订单爆满,车用电子占产能;
5.高通与三星签十年合约,骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造;
1.旺诠宣布暂停接单,厚膜电阻价格或再次拉高;
今年年初以来,被动元器件涨价态势未降反升,从国巨连发MLCC涨价与延迟交货通知后,加剧MLCC存货市场价格上扬;而在旺诠近日也发布通知暂停接受厚膜电阻新单,贴片电阻价格或将再次拉到新高。
2月21日,奇力新旗下旺诠公告暂停接受厚膜电阻新订单,开放接单时间另行公告。市场预期,这不排除旺诠最快2月底进行第2波涨价行情。
旺诠公告称,由于大量订单持续涌入,为了确保所有客户排程及交期,即日起公司暂停接受厚膜电阻全系列所有型别新订单,具体开放接单时间,将择期另行公告。
而早在今年1月2日,旺诠就曾发布公告称,部分系列贴片电阻要涨价15%。

公告称,由于原材料及包装材料的持续上涨,造成我们面临极大的成本压力,为了持续提供客户更好的服务,旺诠必须针对以下型别单价调整:0402 0603 0805 1206系列贴片电阻,价格调升15%。
据了解,目前被动元件供需缺口约5%,消费类电子占被动元件70%以上的市场份额,随着大客户砍单缓解,市场需求量将大幅提升,交货周期也随之拉长,被动元件的供需缺口也进一步拉大,厂商和客户都要排队要货。
不过,旺诠早就有扩产计划。去年下半年旺诠开始扩充中国昆山厂和马来西亚厂,法人预估旺诠今年成长幅度在15%到20%区间,由于受到昆山限排影响,未来马来西亚厂占旺诠比重会越来越高。
此外,国巨今年度已经两次调涨芯片电阻价格;光颉旗下无锡泰铭电子日前也公告厚膜电阻售价调整,部分封装贴片电阻在前售价基础上提升15%。
虽然2018年开业不久,但被动元件缺货涨价态势依旧在延续,再加之中国大陆环保限排的春风席卷,预计会牵动大陆部分芯片电阻厂产品供应,产品供给可能持续紧俏,未来芯片电阻价格走势或将再次拉高,引发被动元器件产业的新一轮洗牌。
2.英特尔在以色列投资50亿美元,升级当地fab至10nm工艺;
据路透社报道,2018年至2020年英特尔将在以色列投资50亿美元,用于扩大其在以色列的生产规模和技术升级换代。以色列经济部长Eli Cohen周三在与英特尔公司会谈后表示,英特尔计划投资50亿美元扩大以色列南部水牛城(Kiryat Gat)芯片工厂的产能。
Eli Cohen表示,水牛城工厂的扩建工程将从今年启动,到2020年完工。英特尔此前已表示,计划把该工厂的制造工艺从22纳米升级到10纳米,生产更小、速度更快的芯片。
英特尔发言人不予置评。
为吸引英特尔继续投资,以色列政府将给予其一系列优惠政策,包括占投资总额20%-30%的政府拨款、降低公司税、土地征用免投标,开发成本补贴。据预测这笔补贴款将在4~5亿美元左右。
据悉,位于以色列南部的凯尔耶特盖特工厂是世界上最先进的芯片制造基地之一,2014年,英特尔投资60亿美元升级水牛城工厂,其中5%为以色列政府补助,而且获得了5%的10年企业税优惠。2016至2017年英特尔投资了60亿美元用于该工厂扩建和升级。
在最新宣布的50亿美元工厂增产计划中,英特尔预计将最高获得10%的政府补助。以色列经济部发言人称,具体补助将取决于英特尔的最终增产提议。
以色列经济和财政部、税务局相关负责人将在下月会面,就英特尔的提议概要达成原则上的一致。以色列经济部将负责审核英特尔的详细计划。
自1974年以来,英特尔已经在以色列累计投资了170亿美元,雇佣了1万多名员工,60%从事研发工作。目前,英特尔在以色列还着眼于人工智能、无人驾驶、5G通讯等领域投资。去年英特尔以逾150亿美元的价格收购了以色列视觉与驾驶辅助系统研发企业Mobileye,由此进入无人驾驶技术领域。
受到新一代处理器发布的推动,英特尔去年在以色列的出口额从2016年的33亿美元增加到36亿美元。目前英特尔是以色列科技领域最大的投资者。
3.外资:硅晶圆Q1价格季增10% 部分厂商达双位数以上;
外资机构预测,2018年设备仍将成长,来自存储器与高端制程扩产设备投资,硅晶圆第1季整体价格季增有5至10%齐涨盛况,部分厂商甚至达双位数以上,展望仍乐观。
硅晶圆是用来生产半导体元件的重要原物料,因此硅晶圆出货面积的成长,意味着半导体产业的整体出货与市场需求蓬勃发展。不过,也因为需求持续成长,近期硅晶圆厂商一直有酝酿涨价的风声传出。
据SEMI统计,2017年全球硅晶圆(含磊晶硅晶圆)出货面积连续四年打破历史纪录,达到118.1亿平方英吋,比2016年成长21%。
销售金额的角度来看,2017年全球硅晶圆销售金额为87.1亿美元,也比2016年的72.1亿美元成长21%。不过,由于硅晶圆单价仍比历史高点来得低很多,因此硅晶圆销售金额距离历史纪录121亿美元仍有一段很大的差距。
日本硅晶圆厂商SUMCO本月表示,2018年12英寸硅晶圆价格有望进一步回升约20%(2018年Q4价格将较2016年Q4高出40%),且预估2019年将持续呈现回升,当前顾客关注的重点已转移至如何确保2020年以后的数量。
在8英寸产品部分,SUMCO表示,因供应量增加幅度有限,因此今后供需紧绷情况恐呈现长期化;6英寸产品部分,当前供应不足情况显着、今后展望不明。
4.8英寸晶圆代工订单爆满,车用电子占产能;
据台媒报道,传IDM大厂委外代工订单塞爆世界先进及联电8英寸晶圆代工产能,到5月前产能爆满,不少IC设计加价才有机会拿到产能,其实车用电子的需求大增带动不少。
世界先进去年陆续接获外商IDM厂委外生产订单,尤以车用电子为大宗,今年在电源管理IC、指纹识别IC将出现双位数成长,其中电源管理IC受惠于外商委外生产趋势,去年已取得客户订单,在今年陆续量产,占去大量产能,因而排挤到不少IC设计小厂订单,需要加价才有机会排到产能。
世界先进董事长方略曾表示,受惠电源管理、影像传感器、指纹识别芯片和驱动IC对8英寸晶圆代工需求强劲,世界先进产能今年将「非常吃紧」,公司正寻求新建12英寸厂,借此突破产能瓶颈。
由于8英寸产能吃紧、利用率达满载,世界先进在反应8英寸硅晶圆的成本增加,逐步调整晶圆代工报价,法人预估每季的涨幅介于 1%至2%,连调四季,预估全年涨幅4%至8%。
究其原因,由于过去多数晶圆厂逐渐将产能由8英寸转向12英寸,全球8英寸产能逐渐减少,且目前投资8英寸晶圆设备昂贵,不符合成本经济效益,这几年8英寸晶圆代工产能有减无增。
此外,指纹识别在智能手机逐渐普及,需求量大增,而指纹识别相当吃8英寸产能,另一便是去年一路喊涨MOSFET需求上扬,两大产品应用占去8英寸晶圆相多大产能。
5.高通与三星签十年合约,骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造;
今日三星官网发布新闻稿,三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作,包含高通下一代5G移动芯片,将采用三星7纳米LPP(Low-Power Plus)极紫外光(EUV)制程

新闻稿指出,通过7纳米LPP EUV工艺,骁龙(Snapdragon)5G芯片组可减少占位空间,让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外,结合更先进芯片设计,将可明显增进电池续航力。

该合作计划将长达十年,三星将授权“EUV光刻工艺技术”给高通使用,其中包括使用三星7纳米LPP EUV工艺技术制造未来的Snapdragon 5G移动芯片组。

去年五月,三星推出了首款使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术7LPP EUV,预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍,为单纳米半导体技术的发展铺平道路。对照10纳米FinFET制程,三星的7纳米LPP EUV工序较少、良率较高,而且面积效率提高40%,性能提高10%,功耗降低35%。

另外,三星位于华城市(Hwaseong)的7纳米厂本周五将动土,预计最快明年量产,但预料赶不上当年度Galaxy S10与Note 10的上市时程。

韩国媒体20日报道称,三星计划投入6兆韩圜(相当于56亿美元)升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备,由于每台EUV设备要价皆多达1,500亿韩圜,因此仅采购机台费用就达到3~4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划,也将在近期公布。

相较之下,台积电今年已开始试产7nm芯片,预定第2季为联发科推出芯片原型,并于明年初开始全力量产。

台积电采用5nm先进制程的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土,预计第一期厂房明年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出,待2022年第一、二、三期厂房皆进入量产时,年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。(校对/小秋)

文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/41/n-663841.html

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