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【解密】这家中国首个高起点CMOS图像传感器IDM公司什么来历

·2018-02-12 00:00·老杳吧
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1.这家中国首个高起点的CMOS图像传感器IDM公司,是什么来历?;
2.半导体掺杂技术迈向产业化;
3.空气产品公司将在西安新建数座大型空分装置;
4.工信部:新材料产业预计到2025年产值将达10万亿元;
5.科技部:中国基础科学研究“三步走”发展目标明确
1.这家中国首个高起点的CMOS图像传感器IDM公司,是什么来历?;
集微网消息,从苹果第一代iPhone诞生代表的智能手机时代开始,CMOS图像传感器一直处于庞大且快速增长的市场需求和不断提升的用户体验驱动技术升级的变革中。拍照和摄影作为其主要应用,不断涌现的新应用、新型设备和创新技术,正进一步重塑CMOS图像传感器产业。
市场研究机构数据显示,2016年CMOS图像传感器市场达到116亿美元,其中亚洲市场的份额在逐步扩大中。CMOS图像传感器是一种采用数字处理的模拟器件,业界一直遵循“one application, one pixel, one process”原则。因此在这个领域存在着多个技术流派和势力,不同的厂商在细分市场中各有自己的竞争空间。诸如索尼、安森美、Teledyne、艾迈斯(ams)、意法半导体都为厂商和用户提供了成功且具有差异化策略的完美案例。
目前CMOS图像传感器最大的应用领域智能手机市场格局基本已经形成,产品差异化会越发重要,这将产生更多的CMOS图像传感器定制化需求。而定制化产品离不开对工艺技术的掌控,因此,在中国发展专注于CMOS图像传感器的IDM厂商非常必要。
在这一市场和技术趋势下,2016年1月,德淮半导体有限公司 (HiDM: Huaian Imaging Device Manufacturer Corporation)应运而生,这是中国第一家专注于CMOS图像传感器的IDM企业。
技术层面,德淮半导体先后取得意法半导体的CIS相关工艺授权,安森美半导体手机产品线的CIS产品、技术和专利授权,这给德淮半导体完全自主的产品研发和生产配备了非常雄厚的技术和专利基础。
2016年,德淮半导体在新横滨成立的芯片设计公司(IDTC)中,主要研发人员来自于原东芝CMOS图像传感器核心设计和研发团队,具备丰富的CMOS图像传感器包括手机、监控和车载等产品设计、技术工艺研发和量产经验。不仅如此,在德淮半导体也同时引进了一群曾在中芯国际、茂德、东芝、Aptina等在CIS领域和半导体行业背景的高管。
因此,德淮半导体具备对自有产品设计、自有产线和自主工艺研发的完整的掌控力,在优化微透镜、CFA的设计和提升产品暗态下信噪比、大幅提升满阱电荷容量 (FWC)、像素隔离设计、暗电流优化设计、采用更小线宽工艺来生产堆栈式的逻辑部分电路,实现更多功能和性价比等方面都将具备独特的优势。实现全光路关键参数的优化,是德淮半导体作为一个IDM企业的优势所在。
投资方面,为了满足市场在今后对CMOS传感器的大量需求,德淮半导体规划建设三个12寸CMOS图像传感器专属晶圆厂,一期晶圆厂年产能达24万片,预计今年上半年投产。当三座Fab全部落成,产能可以覆盖中国市场13MP及以上50%的需求。
手机中国联盟秘书长王艳辉认为,中国发展集成电路不仅仅需要大规模的资金投入,也需要通过技术授权与招揽人才实现高点起步,唯有如此才能赶超世界潮流。可以看出,德淮半导体从创立之初就站在了一个跨国科技公司的高起点高标准构建和运营,正是因为要立志成为中国IDM的成功典范。
近日,德淮半导体已经量产第一批1.1um 1/3.2” 13MP影像传感器AR1337,并大批量向客户供货。这颗产品正是德淮半导体经过不到一年时间快速吸收转化了安森美的技术并最终实现量产。以此为起点,德淮半导体2018年还将推出包括HR163x(1.0um堆栈式16MP)在内的一系列中高端CIS平台及产品,致力于填补和强化中国CIS高端产品产业链,以中日结合的工匠精神,在研发和产能方面优先满足中国客户,为中国半导体产业核心竞争力的形成做贡献。
2.半导体掺杂技术迈向产业化;

2017年度国家自然科学奖二等奖
中国江西网讯 记者周再奔 通讯员蔡辉、李文玲报道:近日,从北京召开的2017年度国家科学技术奖励大会上传出喜讯,在南昌经开区投资兴业的中科创谱激光科技有限公司董事长李京波教授的“新型半导体深能级掺杂机制研究”项目,荣获国家自然科学奖二等奖。

南昌经开区一企业董事长主导的项目获2017年度国家自然科学奖二等奖

据介绍,半导体掺杂技术是半导体器件的核心技术之一。尽管半导体掺杂技术看起来好像很高深,但日常生活中用到半导体器件的设备却随处可见,比如智能手机、电视机、LED灯、激光器等。

随着半导体器件尺寸的不断减小,各种量子效应逐渐凸显,经典的器件设计理论将不再适用,使传统半导体掺杂技术面临巨大挑战。

“新型半导体材料的掺杂机理研究是目前光电技术、凝聚态物理、新能源等领域的前沿热点问题,对此我们开展了相关的基础研究,试图寻找关键科学问题的答案。”中科院半导体研究所研究员李京波教授向中国江西网记者介绍,他主导的“新型半导体深能级掺杂机制研究”项目获得了2017年度国家自然科学奖二等奖。

“掌握了光纤激光器的基本原理,就可突破大功率脉冲激光器的技术瓶颈”

李京波团队研究成果引起了国内外学术界的关注,《自然—亚洲材料》曾将他们的研究发现作为“亮点”来介绍,该杂志指出:李京波及其合作者设计了一种新的方法来提高TiO2的光催化效率。

据介绍,以半导体激光器外延生长、掺杂技术等科学问题研究为支撑,在大功率半导体激光器芯片关键技术等方面,李京波团队近来取得了多项创新成果:开发出六千瓦纳秒脉冲激光器,平均功率最高达到了6000W,比目前国际上同类指标高2000W;首次研发出大功率半导体激光器芯片,芯片单巴功率超过160瓦,寿命超过1万小时。

李京波团队已经将此次获奖项目的部分成果成功转化为高功率脉冲激光器产业化应用。他们在南昌经济技术开发区的支持下,创办了南昌中科创谱激光科技有限公司,预计2018年该公司的销售收入将突破亿元。

“基础研究是创新的根基,也是工业装备升级的支撑,掌握了光纤激光器的基本原理,就可以突破大功率脉冲激光器的技术瓶颈。”李京波强调。 中国江西网



















3.空气产品公司将在西安新建数座大型空分装置;
2月2日从上海空气产品公司获悉,全球领先的工业气体供应商——空气产品公司 (Air Products)日前宣布,其将为三星电子位于西安市的第二座半导体工厂供应工业气体。
位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一,也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。

据小编了解,空气产品公司西安工厂自2014年起开始服务于这一项目,目前运作两座大型空气分离装置、一座氢气生产装置和一套大宗特气输送系统为项目供气。随着新项目的签署,空气产品将进一步扩大西安工厂的规模,新建数座大型空分装置、氢气和压缩干燥空气生产装置,以及一座大宗特气气站来为新的芯片厂提供超高纯氮气、氧气、氩气、氢气和压缩干燥空气。新设施计划于2019年投入运营
空气产品公司韩国区总裁兼西安高新技术开发区电子业务投资负责人金教永表示:“三星是空气产品公司长期、战略性的客户。我们非常荣幸能获得他们持续的信任,再次为其业务发展和中国西部的这一重要项目服务。我们已经在项目一期运营中展示了我们的安全、可靠和卓越性。这一最新投资进一步增强了我们的全球领先地位,并凸显了我们服务客户和全球半导体及电子产业的承诺。”

空气产品公司持续构建与三星电子强有力的合作关系,近期宣布将再次扩大其韩国京畿道平泽市的生产设施,新建两座氮气工厂为三星电子的超大芯片厂供气。

作为一家全球领先的整合型工业气体供应商, 空气产品公司拥有40多年服务电子行业的经验,为全球大多数大型科技公司提供安全、可靠的工业气体。在中国,空气产品也携手众多国内外领先的集成电路制造企业,支持下一代消费电子产品如智能手机、平板电脑及数码相机等产品的开发。目前,空气产品公司正在福建、安徽和天津建设新厂,支持当地重要的集成电路项目的发展。其位于江苏的新工厂也已于近期投产。 中国压缩机网







4.工信部:新材料产业预计到2025年产值将达10万亿元;
《经济参考报》日前从工信部独家获悉,为进一步促进我国新材料产业的发展,工信部将从今年开始继续制定和出台一系列产业促进政策和措施。其中包括,编制实施2018年新材料产业折子工程,设立中国制造2025产业发展基金,制定支持新材料产业推广应用相关政策,启动实施“重点新材料研发及应用”重大工程。

此外,工信部还将围绕优化新材料产业发展环境“做文章”,将加快新材料生产应用示范平台、测试评价平台、资源共享平台、新材料制造业创新中心等建设;健全产业体系,完善和发挥产业专家咨询委作用,为新材料产业发展提供决策支撑;进一步深化军民融合,推进军工主干材料体系建设,促进新材料在军民领域双向转移转化。

经过各方努力,我国新材料产业总产值由2012年的1万亿元增加到2016年的2.65万亿元,年均增速27.6%。在部分先进基础材料、关键战略材料、前沿新材料等领域,我国还实现了与国际先进水平“并跑”甚至“领跑”。例如,在关键战略材料方面,中芯国际前七大耗材中六类材料实现国产采购;南山集团铝合金厚板通过波音公司认证并签订供货合同;中船重工兆瓦级稀土永磁电机体积比传统电机减少50%、重量减轻40%;世界首座具有第四代核电特征的高温气冷堆核电站关键装备材料国产化率超过85%;液态金属在3D打印、柔性智能机器、血管机器人等领域实现初步应用等。

工信部介绍,目前我国新材料产业发展势头良好,在产业政策的促进下,将保持这良好的增长势头,预计到2025年产业总产值将达到10万亿元,并保持年均增长20%;到2035年,我国新材料产业总体实力将跃居全球前列,新材料产业发展体系基本建成,并能为本世纪中叶实现制造强国提供基础支持。





5.科技部:中国基础科学研究“三步走”发展目标明确
中国证券网讯2月11日从国新发布客户端获悉,近日,国务院发布了《关于全面加强基础科学研究的若干意见》,对全面加强基础科学研究作出部署。科技部副部长黄卫今在国务院新闻办就《意见》部署安排、发展目标等情况作详细解读。

黄卫说,《意见》提出了我国基础科学研究“三步走”的发展目标。到2020年,我国基础科学研究整体水平和国际影响力显著提升,在若干重要领域跻身世界先进行列,在科学前沿重要方向取得一批重大原创性科学成果,解决一批面向国家战略需求的前瞻性重大科学问题,支撑引领创新驱动发展的源头供给能力显著增强,为全面建成小康社会、进入创新型国家行列提供有力支撑。到2035年,我国基础科学研究整体水平和国际影响力大幅跃升,在更多重要领域引领全球发展,产出一批对世界科技发展和人类文明进步有重要影响的原创性科学成果,为基本实现社会主义现代化、跻身创新型国家前列奠定坚实基础。到本世纪中叶,把我国建设成为世界主要科学中心和创新高地,涌现出一批重大原创性科学成果和国际顶尖水平的科学大师,为建成富强民主文明和谐美丽的社会主义现代化强国和世界科技强国提供强大的科学支撑。

黄卫介绍,《意见》从五个方面提出了20条重点任务。一是完善基础研究布局。加强基础研究和应用基础研究,推动数学、物理等重点基础学科发展,围绕科学前沿和国家需求强化重大科学问题超前部署;优化国家科技计划基础研究支持体系;优化基础研究区域布局;推进国家重大科技基础设施建设。二是建设高水平研究基地。聚焦国家目标和战略需求布局建设国家实验室,加强国家重点实验室等创新基地建设。三是壮大基础研究人才队伍。培养造就具有国际水平的战略科技人才和科技领军人才,加强中青年和后备科技人才培养,稳定实验技术人才,建设高水平创新团队。四是提高基础研究国际化水平。组织实施国际大科学计划和大科学工程;深化基础研究国际合作,加大国家科技计划对外开放力度,推进“一带一路”科技创新行动计划。五是优化基础研究发展机制和环境。加强基础研究顶层设计和统筹协调,建立基础研究多元化投入机制,深化科研项目和经费管理改革,推动基础研究与应用研究融通,促进科技资源开放共享,完善符合基础研究特点和规律的评价机制,加强科研诚信建设,推动科普、弘扬科学精神与创新文化。

黄卫说,下一步,科技部将会同有关部门,根据《意见》任务部署,细化工作举措,明确工作进度,出台完善相关配套政策,周密部署,精心组织,确保各项任务落实到位。





文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/64/n-662964.html

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