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国内DRAM内存发展不容乐观,长鑫存储未来技术发展究竟面临怎样的挑战?

芯通社 ·2019-05-16 16:06·与非网
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不论是 NAND 闪存还是 DRAM 内存,国内市场几乎都是100%依赖进口,去年进口的存储芯片价值超过1000亿美元,所以国内近年来集中力量发展存储芯片。

在国内布局的三大存储芯片基地中,紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存,DRAM内存有福建晋华以及合肥长鑫,前者跟联电合作,因为跟美光产生了专利纠纷被美国制裁,发展前景并不乐观。

国内DRAM内存的希望就剩下了合肥长鑫了,该公司2016年成立,官网资料很有限,只是提到“ 长鑫存储 致力于成为全球领先的 半导体IDM 企业,不断引进先进的半导体设施,并研发行业顶尖技术。”

不过媒体报道称,2017年合肥长鑫投资72亿美元兴建12寸晶圆厂以发展DRAM产品,未来完成后,预计最大月产将高达12.5万片规模。


此外,2017年10月份兆易创新宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,总投资180亿元,合作主体也是合肥产投下属的长鑫公司。

根据长鑫公司之前公布的计划,合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成,设备也开始安装。根据计划,长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17nn的研发。

长鑫发展DRAM内存的关键不是资金,而是人才及技术,在三星美光SK海力士等公司垄断了全球主要的内存产能及技术之后,长鑫的DRAM内存技术来源是哪里呢?

昨天在上海举办的GSA峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源。

根据朱一明所说,长鑫从成立开始,就与国内外技术领先的合作伙伴广泛开展研发合作,如ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material和TechInsight等,不过DRAM内存技术重要原来则是已经破产的奇梦达。

奇梦达公司是英飞凌半导体剥离出来成立的DRAM芯片公司,早些年还可以在某些显卡上看到他们的GDDR显存,不过奇梦达已经破产多年,但这主要是因为经营不善,奇梦达在DRAM上还是有自己的技术的。

朱一明表示长鑫存储通过与其合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上,利用专用研发线,展开世界速度的快速迭代研发,已持续投入晶圆超过15000片。

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