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西永微电园:SK海力士重庆二期存储芯片封测项目即将投产,或将成为最大封装基地

全球半导体观察 ·2019-05-14 21:28·与非网
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日前,重庆西永微电园消息称, SK海力士 位于重庆的二期 存储芯片 封装 测试项目将于今年第三季度投产。

2013年5月,SK海力士在重庆西永微电园设立SK海力士半导体(重庆)有限公司,投资建设NAND Flash存储芯片封装测试生产线。

图片来源:西永微电园

该项目一期投资3亿美元,2014年正式投产。2017年9月,SK海力士与重庆签署有关二期项目的谅解备忘录,二期追加注册资本2.5亿美元,累计投资额将达12亿美元,2018年上半年开工。

据重庆西永微电园透露,SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成,预计6月中旬进行设备安装,三季度陆续投产。

投产后,项目合计产能是现在的2.5倍,芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上, 成为SK海力士全球海外最大封装基地。

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