摩尔芯闻 > 行业新闻 > 半导体 > 研调:长江存储年底量产64层3D NAND,恐冲击明年报价

研调:长江存储年底量产64层3D NAND,恐冲击明年报价

新闻中心 ·2019-05-14 16:24·MoneyDJ新闻
阅读:2214

由于中美贸易摩擦影响,中国大陆两大DRAM厂发展脚步已明显放缓,根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)研究指出,作为NAND Flash发展主力的长江存储今(2019)年底前将依照进程正式量产64层Xtacking 3D NAND产品,随着长江存储明(2020)年产能逐步扩大,预计将对全球NAND Flash市场供给与价格带来冲击。 TrendForce指出,长江存储已于第一季送交样品给部分客户及控制器厂商,初期着重国内市场销售;并且已完成武汉厂的建设,并有限度的投产32层产品,待64层正式量产后产能扩张将转趋积极。2020年后产能规划将逐步放大,到该年底扩张达至少60K/m的投片量,尽管相对其他竞争者动辄200K/m以上的产能并不算大,预估仍会对NAND Flash市场价格产生一定冲击,导致跌价趋势持续。 TrendForce分析认为,中国新开产能以达成自给的目标相当明确,而其他国际厂商亦各自有新厂得以因应2020年后的竞争,包含三星的西安二期、东芝的岩手县新厂、美光的新加坡三厂、SK Hynix M15厂的剩馀空间加上后续的M16厂房等,在各厂产能提升后,价格竞争恐将更为激烈。 为缩短与一线厂1-2年的技术差距,长江存储明年直攻128层产品。TrendForce指出,以主要六大供应商的发展状况来看,目前主流出货多在64/72层产品,并已量产92/96层的产品,目前正提供客户UFS、SSD等产品样品进行导入,然而新制程的扩产受到今年市况影响,供应商自去年年底以来逐步调降资本支出并减缓扩产时程,甚至有部分供应商决定减产,导致新制程比重成长较为缓慢。 反观长江存储发展规划,在推出64层产品后,相较于其他供应商先发展9x层的步调,长江存储将直攻128层以缩减与其他供应商的差距,主要供应商则规划在2020年量产128层产品。尽管长江存储在技术发展上仍与主要供应商有相当差距,但未来对市场的影响恐怕势难抵挡。

分享到:
微信 新浪微博 QQ空间 LinkedIn

上一篇:友达发表全球首款全屏光学内嵌指纹扫描面板

下一篇:中国关税反制600亿美元,电容、电阻、单晶硅棒、通讯设备等最高加征25%关税

打开摩尔直播,更多新闻内容
半导体大咖直播分享高清观看
立即下载