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【重磅】老杳:揭开440亿元人民币的半导体投资骗局

·2018-02-07 00:00·老杳吧
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1.老杳:揭开440亿元人民币的半导体投资骗局;
2.中科天芯发布国内首款光学相控阵技术固态激光雷达芯片;
3.2018年中国集成电路产量及产业规模预测;
4.人物:中国半导体材料科学的奠基人林兰英院士

1.老杳:揭开440亿元人民币的半导体投资骗局;
经常有地方政府找到老杳希望介绍半导体项目到当地落户,可以看出各地对半导体投资的热衷。

作为国内集成电路门户网站,集微网也经常报道各地半导体领域的巨额投资,看多了总会觉得哪里不对,动辄上百亿,有些时候还是美元,中国半导体投资固然火爆,也不至于随便一个城市甚至县级城市都有能力投资半导体。

昨天朋友发来一篇2017年12月10日有关江苏盱眙经济开发区签约中璟航天半导体的文章,号称投资120亿建设半导体全产业链项目,主要包括二条年产24万片8寸CIS晶圆厂。

上网搜了下这家中璟航天半导体,原来江苏盱眙之前已经签约了好几个城市:

1、2017年3月11日,成都郫都区签约中璟航天半导体12寸CIS晶圆项目,项目拟投资260亿,占地约1300~1400亩。

有关这个项目签约,现在网上大多数新闻已经被处理,仅剩的几条报道也语焉不详,猜得不错,这个项目肯定已经搁浅。

2、2017年4月22日,江门市与中国航天国际控股、广东华夏中璟基金管理成功签订合作框架协议,投资60亿元半导体生产基地项目落户江门国家高新区开平翠山湖科技园。

如果再往前搜索,香港文汇报曾经报道,2016年10月20日,江苏省淮安市曾经与台湾中璟半导体有限公司签约投资6亿美元的半导体项目,只是不清楚这个台湾中璟与上述的中璟航天半导体是否一家公司。

一年不到时间这家中璟航天半导体分别与成都郫都区、广东江门市及江苏盱眙签署的总投资440亿元人民币的投资协议,其中主要项目则是兴建CIS晶圆厂,差别只在于8英寸还是12英寸。

中璟航天半导体与江苏盱眙的新闻稿中,谈到了合作方日本东京世界贸易中心(WTC东京)常务理事江田敏彦,老杳特意搜索了这家看似非常高大上的东京世界贸易中心(WTC东京),东京的确有个世界贸易中心大厦,不过这个东京世界贸易中心(WTC东京)却是个行业协会组织。

至于江田敏彦的另一个身份是Billing System董事长,Billing System则是个日本最大的第三方支付平台,真不清楚这个第三方支付平台能为中璟航天半导体提供什么样的半导体技术服务。

无论成都郫都区、广东江门市还是江苏盱眙,三个签约项目中都谈到了中国航天国际控股,不过老杳查了半天也没发现中国航天国际控股与CIS晶圆厂有什么关联。

地方政府想发展半导体可以理解,不过半导体专业性太强,没有足够财力地方政府根本无力支撑,相关领域的合作协议好签,要真想能出点名堂还真不容易。

中国半导体远没有强大到令美国瞩目的地步,可惜美国对中国发展半导体产业的限制越来越多,其中固然有中国产业进步的因素,不过许多地方政府的好大喜功、放卫星式宣传也令国际社会放大了中国产业的进步,真实效果却是阻碍了行业的发展。

中国半导体鱼龙混杂,即使作为媒体,集微网也很难揭穿每一个行业骗局,对于普通消费者就更难。(老杳,微信公共号:laoyaoshow )



























2.中科天芯发布国内首款光学相控阵技术固态激光雷达芯片;
近日,中科天芯科技(北京)有限公司(以下简称“中科天芯”)联合中科院研究所开发并推出A2芯片,这是国内完全自主研发的第一款光学相控阵技术固态激光雷达芯片。
据了解,A2芯片是一款适用于短距离成像用的三维扫描固态相控阵芯片,是国内首次在硅基材料上制作的相控阵芯片。其原理是利用光波导阵列,通过相控调制方法实现激光的快速扫描。芯片使用完全与CMOS兼容的工艺完成,未来量产后成本非常低。
中科天芯公司相关负责人表示,该芯片可以广泛应用于5米内近距离的三维云图构建,扫描角度可达30度,角度分辨率可达0.01°,扫描速度可达1us左右,体积小,集成到三维构图设备内,可广泛应用于短距离激光雷达、人脸和手势识别、AR/VR、安防等领域。
据悉,中科天芯是中科院研究所在全固态激光扫描技术的产业转化应用平台,于2017年7月与中科院研究所共同成立联合实验室,依托中科院强大的技术和人才优势,以研究小组十余年在波导激光传感器研究的基础上,致力于将相关技术产业化,应用于激光雷达、激光显示等领域,立志成为本领域内世界先进的企业。
值得一提的是,与传统机械扫描技术相比,光学相控阵扫描技术的优势很是明显:
首先,扫描速度快。光学相控阵的扫描速度取决于所用材料的电学特性和器件结构,一般都可以达到MHz量级。
其次,扫描精度高或指向性好。光学相控阵的扫描精度取决于控制电信号的精度,可以做到mrad(千分之一度)量级。
再有,可控性好。光学相控阵的光束指向完全由电信号控制,在允许的角度范围内可以做到任意指向,可以在感兴趣的目标区域进行高密度的扫描,在其他区域进行稀疏扫描,这对于自动驾驶环境感知非常有用。
光学相控阵技术应用于固态激光雷达芯片,目前在国际范围内处于研发热点,中科天芯的A2芯片为国内第一个完全自主研发设计的产品,利用数百纳米的光波导阵列,通过相控调制方法实现激光的快速扫描,是国内固态激光雷达领域OPA技术方向的领先者。
除上述领域外,中科天芯还针对汽车驾驶、安防等领域,正在开发更远距离扫描的芯片。 海外网
3.2018年中国集成电路产量及产业规模预测;
目前,发展集成电路行业已成为国家长期战略,政府在政策和资本上大力支持国内集成电路的发展。2014年,国务院印发《国家集成电产业发展推进纲要》,将集成电路产业发展上升为国家战略,从政策上完善落实了一系列支持集成电路产业发展的措施,并设置了分阶段目标,明确了“十三五”期间国内集成电路产业发展的重点及目标。同年9月,国家集成电路产业投资基金成立,主要用于集成电路产业的投资,支持行业的发展壮大。
产业产量及规模预测
1。中国集成电路产量及预测
据中商产业研究院大数据库数据显示,2017全年中国集成电路产量达到1564.9亿块,与2016年的1329亿块相比增长17.8%。在一系列政策措施扶持下,中国集成电路行业保持快速发展的势头,产业规模持续扩大,技术水平显著提升,预计2018年中国集成电路产量将进一步增长,达到1813.5亿块,同比增长率为15.9%。
2。产业规模及预测
据中商产业研究院发布的《2018-2023年中国集成电路产业市场前景及投资机会研究报告》数据显示,2017年中国集成电路产业全年产业规模达到5430.2亿元,同比增长20.2%。预计2018年中国集成电路产业规模将超6000亿元,达到6489.1亿元,同比增长19.5%。
3。集成电路产业结构
数据显示,2017年中国集成电路产业结构中,集成电路设计占比为34.44%,集成电路制造业占比为27.19%,集成电路封测占比为38.38%。随着中国集成电路新增产线的陆续投产,预计中国集成电路制造业产业规模将进一步增长。
数据来源:中商产业研究院整理
4.人物:中国半导体材料科学的奠基人林兰英院士
也许,在你的日记里,今天(2月7日)相当沉闷和平常,你觉得这是生命中普通的一天,但一百年前的今天可有一件大事发生,在这一天,我国半导体材料之母——林兰英先生出生了。
作为我国半导体材料科学的奠基人与开拓者,林兰英兢兢业业地为半导体材料事业倾注了毕生心血,正因为她们这些科学家的努力,我国的半导体材料领域才能弯道超车,迎头赶上世界前列水平。
一、来之不易的求学机会
1918年2月7日,在福建莆田林润故居的最后一进院子里,被称为“九牧林家”、“妈祖后人”的名门望族——林氏,诞生了一个女婴。新生命的出世并没有给这个大家族带来欢笑,因为这是一个“婶娘仔鬼”(当地方言,意指女孩)。
在旧中国,重男轻女之风横行,福建地区尤甚,当地甚至从宋朝开始就有溺死女婴的恶习。在这样的环境下出世的女婴,其祖父的失望可想而知。尽管如此,老人家还是履行了祖父的职责,为女婴起名为“兰英”。
林兰英的父亲林剑华长期在外:先在上海大学文学系读书,之后在南昌《国民日报》当编辑,母亲则留在福建老家照顾老人和孩子。母亲没怎么受过教育,因为陈腐的观念不让小英子上学。为了获得上学的机会,倔强的她把自己反锁在屋里,近三天不吃不喝,绝食以死相逼才得到母亲的应允,终于获得了和男孩子一样的学习机会。
林兰英(右二)和家人
二、在异国他乡奋发进取
林兰英读书认真刻苦,因为是女孩子的原因,求学路上也经历了很多磨难,但她都克服坚持了下来,最终凭借优异的成绩考入福建协和大学。大学毕业后,林兰英留校任教,由于表现优异,获得出国留学机会。
留学期间,林兰英的导师非常赏识她,有感于人才难得,要推荐她去芝加哥大学读数学博士学位。但经过深思熟虑后,林兰英认为,当时贫穷落后的祖国,最为需要、最为适用的,还是物理。想想看,天上飞的,地下跑的,水中“游”的,乃至修一座高楼,建一座城市,都与物理密切相关。对祖国饱含深情的林兰英,不应是想学什么,而应是该学什么,一切服从祖国建设事业的迫切需要。
因此林兰英决定:谢绝教授的好意,中断在数学王国里的遨游,于1949年秋,前往宾大研究院,致力于固体物理学的研究。适逢美国贝尔实验室的物理学家运用固体物理理论解释了半导体现象,并与冶金技术结合制成了世界上第一块半导体锗单晶,轰动了全世界。正在学习固体物理的林兰英,迅速发现这项研究对国家战略的巨大意义,开始了对半导体材料的研究。
时光冉冉,经过五年的学习,于1955年夏,林兰英成为宾夕法尼亚大学建校115年来的第一位中国博士,也是该校有史以来的第一位女博士。
林兰英博士毕业照
三、毅然回国,在祖国科学园地里辛勤耕耘
博士毕业后,林兰英冲破重重阻挠,毅然投身到祖国的怀抱。虽然她的积蓄全被美国当局扣押,回国后已经身无分文,但她还是毅然将自己冒险带回来的“药”——价值20多万元的500克锗单晶和100克硅单晶,无偿地赠给了中国科学院,成了我国半导体科学工作者求之不得的无价之宝。
党和国家对回国的林兰英博士高度重视,安排她去中科院应用物理所工作。在应用物理所,林兰英第一个目标就是:拉制出属于中国的第一根硅单晶!当时新中国百废待兴,制取硅单晶最需要的保护气——氩气更是稀缺,这种气体国内不能生产,又被列在国外的禁运名单上。最终,林兰英想出了抽真空的方法,并且把她在美国发明的籽晶保护罩运用到了制造过程中。1958年,在她的努力下,拉制出了中国第一根硅单晶。
1961年,她又把目光投向了硅外延材料的研制。这是一种具有两层硅单晶结构的材料,具有非常重要的战略意义。在硅单晶的基础上,她又一次成功了。这种硅外延材料制作的一些新型硅器件,使得军用雷达、电台、遥感测量仪器等更为精确可靠。值得一提的是,这种材料在第一颗原子弹的制造过程中发挥了不可忽视的作用。林兰英也因此成为了为“两弹一星”作出重要贡献的科学家之一。
终身未婚的林兰英,生活的轨迹基本就是在家和单位之间,全身心投入到了我国的半导体事业当中。先后负责研制出中国第一根单晶硅、第一台高压单晶炉、第一片单异质结 SOI 外延材料、第一根 GAP 半晶、第一片双异质结 SOI 外延材料。因此四次获中科院科技进步奖一等奖,两次获国家科技进步二、三等奖,1996年获何梁何利科技进步奖,1998年获霍英东成就奖。她的工作极大推进了我国半导体材料的研究高度,为微电子和光电子学的发展奠定了基础,为我国太空事业做出巨大贡献。她还培养了包括吴德馨、王占元两位院士在内的大批优秀科研工作者。
2003年3月4日下午1时36分,林兰英院士与世长辞,享年85岁。
中科院之声

文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/95/n-662395.html

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