摩尔芯闻 > 行业新闻 > 半导体 > X-Fab推出采用180nm CMOS平台的超低噪声晶体管

X-Fab推出采用180nm CMOS平台的超低噪声晶体管

RodneyChan,DIGITIMES,Taipei ·2017-12-08 11:40·Digitimes
阅读:1885

X-Fab宣布基于公司的180nm XH018混合信号CMOS技术扩展其低噪声晶体管组合。现在有三款新型晶体管: 1.8 V低噪声NMOS,3.3 V低噪声NMOS和3.3 V低噪声PMOS。

这些晶体管主要设计用于需要非常低噪声信号放大以实现高信噪比(SNR)的传感器部署。主要的目标应用是模拟和数字麦克风放大器,广泛用于手机和耳机,以及起搏器等植入式医疗设备

X-Fab表示,与标准XH018器件相比,新型1.8V低噪声NMOS晶体管的闪烁噪声提高了8倍。新型3.3 V低噪声NMOS晶体管的闪烁噪声降低了10倍,而3.3 V低噪声PMOS晶体管的闪烁噪声则为所有漏极电流减半。

闪烁噪声也被称为1 /f噪声,是在1Hz至1MHz之间的低频处的主要噪声。对于在这个频谱中工作的应用,重要的是将闪烁噪声保持在最低水平。

X-Fab表示,采用新型互补式低噪声3.3 V晶体管,设计人员可以更容易地实现噪声关键设计,从而实现高信噪比(如需要),例如数字放大器IC。设计师也可以从更新的BSIM4格式中获得更精确的模型。

文章来源:http://www.digitimes.com/news/a20171130PR202.html

分享到:
微信 新浪微博 QQ空间 LinkedIn

上一篇:台湾IC设计公司可能会在2018年看到更多的整合

下一篇:On-Bright否认有关中国上市的猜测

打开摩尔直播,更多新闻内容
半导体大咖直播分享高清观看
立即下载